[发明专利]非DRAM指示符和存取未存储于DRAM阵列中的数据的方法

权利要求书

1.一种控制一个或一个以上SDRAM模块的方法，其包含：

对SDRAM模块执行一个或一个以上同步读取循环来存取未存储于所述SDRAM模块的DRAM阵列中的数据：

将针对未存储于DRAM阵列中的数据的每一读取循环与非DRAM指示符相关联；以及

在从SDRAM模块接收到所述未存储于DRAM阵列中的数据之后，响应于所述非DRAM指示符来识别所述未存储于DRAM阵列中的数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含对SDRAM模块执行一个或一个以上读取循环来存取存储于所述SDRAM模块的DRAM阵列中的数据。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含将所述接收的未存储于DRAM阵列中的数据与所述接收的存储于DRAM阵列中的数据一起缓冲。

4.根据权利要求3所述的方法，其中提取所述未存储于DRAM阵列中的数据包含从含有存储于DRAM阵列中的数据和未存储于DRAM阵列中的数据两者的缓冲器提取所述未存储于DRAM阵列中的数据。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含将存储于DRAM阵列中的数据转发到请求主装置且不将未存储于DRAM阵列中的数据转发到主装置。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含响应于所述未存储于DRAM阵列中的数据来改变刷新所述SDRAM模块中的一者或一者以上的速率。

7.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含维持与每一读取循环相关联的控制信息。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述控制信息包括读取突发长度。

9.根据权利要求7所述的方法，其中与针对存储于DRAM阵列中的数据的读取循环相关联的所述控制信息包括请求主装置识别。

10.根据权利要求7所述的方法，其中与针对未存储于DRAM阵列中的数据的读取循环相关联的所述控制信息包括所述非DRAM指示符。

11.根据权利要求10所述的方法，其中从SDRAM存储器模块读取的数据和所述控制信息均各自在FIFO中缓冲。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含同时弹出读取数据FIFO和控制信息FIFO。

13.根据权利要求12所述的方法，其中响应于所述非DRAM指示符来识别所述未存储于DRAM阵列中的数据包含在相应弹出的控制信息包括非DRAM指示符的情况下将弹出的读取数据识别为未存储于DRAM中的数据。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述非DRAM指示符包含单个位。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述非DRAM指示符包含多个位，且其中对所述非DRAM指示符位的编码指示是从多个存储器模块的哪个存储器模块中读取的所述未存储于DRAM阵列中的相关联数据。

16.根据权利要求1所述的方法，其中对SDRAM模块执行一个或一个以上读取循环以存取未存储于所述SDRAM模块的DRAM阵列中的数据包含周期性执行针对所述SDRAM存储器模块上的温度感测电路的读取循环。

17.根据权利要求16所述的方法，其中执行针对温度感测电路的读取循环的周期由可编程计数器确定。

18.根据权利要求16所述的方法，其中执行针对所述SDRAM存储器模块上的温度感测电路的读取循环响应于软件命令而发生。

19.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含响应于所述存储器模块的温度来调整刷新速率。