[发明专利]具有焊接板和加热器的基材支撑件

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于将一基材支撑于一基材处理室的基材支撑件。

背景技术

在制造电子电路及显示器的过程中，半导体、介电材料及导电材料是形成于基材上(例如：半导体晶片、陶瓷或玻璃基材)。而该些材料例如是藉由化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、离子植入、氧化、氮化及其它制程而形成。之后，沉积的基材材料会被蚀刻而形成特征结构，例如：栅极、孔洞、接触孔及内联机。这些制程一般是于处理室中进行，而其实例是描述于共同受让给Kalyanam等人的美国专利第6491978号，此处将其全文并入以作为参考。在此类制程中，基材是放置在基材支撑件上并暴露于腔室的制程区域。支撑件通常包括一加热器，以在制程中进一步调节基材的温度。通常藉由感应或电容耦合能源至制程气体，或是耦合微波至制程气体，而使等离子于制程区域中形成，此等离子是处理基材而在基材上沉积或蚀刻材料。

因为对于形成在基材上的层及特征结构的尺寸要求渐渐朝向为具有较小尺寸，故基材上的温度均一性必须更加一致，并且基材上的可允许的温度范围亦变窄。举例来说，在CVD制程中，基材表面的温度变化会造成沉积的CVD层具有多变异的厚度；随着沉积层变得较薄，因而对于此种厚度变异的忍受范围变得更小。相似的，在蚀刻制程中，基材上不同的蚀刻速率会造成在基材上蚀刻的特征结构具有不同的形状或尺寸。因此，期望基材支撑件可以减小基材上的温度变异，而此温度变异可能造成制程异常。

在制程当中，基材表面所需的更窄温度范围较难以习知的支撑件来达成。习知的支撑件包括一由铝、不锈钢或陶瓷所制成的吸座，而其具有基材承接面、多个真空端口及净化气体或热传气体导管，以及下方的支撑板。金属座以及下方的支撑板是焊接在一起，因此焊接对接接头(butt joint)是穿过板的表面而与相邻的板接触。于一实施例中，电子束是聚焦至焊接对接接头而将接头焊接至邻近的板。然而，此种习知支撑件通常无法提供基材上所需的窄范围温度，此乃因为设置于气体及真空导管周围的电子束焊接对接接头通常并不平顺或是彼此之间并不呈现连续焊接。此造成真空压力或是净化/热传气体由该些接头泄漏，而造成基材上温度的不均一分布。在藉由焊接装配之后，通常会在板中导致局部应力产生，而在数个制程循环之后造成支撑件的弯曲或变形。板的弯曲造成各板之间产生间隔，而该些板由于具有不同厚度或间隔，因而使得自上方基材通过下方支撑板的热传速率并不平均。

习知支撑件的另一问题起因于其加热器和真空端口的配置。一般来说，单一真空端口是设置于支撑件表面以支托住基材，而此是提供基材背侧一非均匀或均匀的微弱真空吸引压力。因此，沿着支撑件的真空信道处的焊接接点的真空压力泄漏所造成背侧压力的波动很有可能导致基材跳离开支撑件。另外，紧邻于单一端口的过度吸力可能在制程中导致基材弯曲。未适当放置的基材可能会使得与下方支撑件具有不良接触或具有一间隔的区域产生温度变异。具有未适当置放于支撑板之间的内建式电阻加热器组件的支撑件，可能会造成施加不均匀的热至上方基材，而在基材上出现非对称的处理情形。

附图说明

本发明的特征、实施例及优点可由上述说明、以及下方的附图和实施例而更加了解，其中附图是绘示本发明的实例。然而，应了解本发明所能采用的特征结构并非仅限于特定图式的内容，应包括这些特征的组合。

图1A，绘示支撑件的侧面剖视图，其中组合板是利用硬焊组接，而基材承接面具有真空沟槽及接触突出部；

图1B，绘示图1A所示的支撑件的上视图，显示位于支撑件上表面的真空沟槽及突出部的分布图样；

图2，绘示图1A所示的支撑件的分解视图，显示在组合之前的三个板；

图3，绘示制造该支撑组件的步骤流程图；

图4，绘示两个硬焊板的概要透视图，其具有包括电阻加热组件的电阻加热器，而电阻加热组件位于填充有电绝缘体的管中，且管与位于板上而围绕管的沟槽之间亦具有热传导粉末。

主要组件符号说明

100支撑件                 102基材承接面/上表面

104基材                   106a第一硬焊结合层

106b第二硬焊结合层        108台座

110(110a、110b、110c)板   114周围突出物

122(周边)环               124周边区域

126边角                   128气体端口

129(129a～b)供应管线      130(130a～c)供应管线