[发明专利]非易失性存储单元的编程

权利要求书

1.一种对非易失性存储(NVM)单元编程的方法，所述非易失性存储单元包括在读操作期间用作源极的第一电流电极、在读操作期间用作漏极的第二电流电极、以及用作偏置栅极的控制电极，所述方法包括：

向所述第一电流电极施加第一编程电压；

在施加所述第一编程电压之后，向所述第一电流电极施加第二编程电压，其中所述第二编程电压大于所述第一编程电压；以及

在施加所述第一编程电压的步骤期间，向所述控制电极施加编程电压，以及在施加所述第二编程电压的步骤期间，向所述控制电极施加编程电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中施加所述第一编程电压的特征在于通过斜坡上升到所述第一编程电压来执行。

3.如权利要求2所述的方法，其中施加所述第二编程电压的进一步的特征在于通过从所述第一编程电压斜坡上升到所述第二编程电压来执行。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

施加所述第一编程电压达第一时间段；以及

施加所述第二编程电压达第二时间段。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第二时间段长于所述第一时间段。

6.如权利要求1所述的方法，其中在施加所述第一编程电压和施加所述第二编程电压之间，取消选中所述NVM单元。

7.如权利要求1所述的方法，其中在将第一编程电压施加于所述第一电流电极的步骤和将第二编程电压施加于所述第一电流电极的步骤期间，所述第一编程电压和所述第二编程电压大于施加到所述控制电极的电压。

8.如权利要求1所述的方法，其中：

在将第一编程电压施加于所述第一电流电极的步骤之前，所述第二电流电极处于第三电压；

在将第一编程电压施加于所述第一电流电极的步骤期间，所述第二电流电极处于与所述第三电压不同的电压；

在将第二编程电压施加于所述第一电流电极的步骤期间，所述第二电流电极处于与所述第三电压不同的电压。

9.如权利要求1所述的方法，其中在施加所述第一编程电压之后，不间断地接着施加所述第二编程电压。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括在施加所述第一编程电压之后，将第三编程电压施加于所述第一电流电极，其中所述第三编程电压大于所述第二编程电压。

11.如权利要求10所述的方法，其中施加所述第三编程电压的进一步的特征在于通过从所述第二编程电压斜坡上升到所述第三编程电压来执行。

12.如权利要求10所述的方法，其中在施加所述第二编程电压之后，不间断地接着施加所述第三编程电压。

13.如权利要求10所述的方法，其中：

施加所述第一编程电压达第一时间段；

施加所述第二编程电压达第二时间段；

施加所述第三编程电压达第三时间段。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第三时间段长于所述第一时间段，并且所述第三时间段长于所述第二时间段。

15.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

在施加所述第二编程电压和施加所述第三编程电压之间，取消选中所述NVM单元。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述NVM单元具有从由金属层、多晶硅层、纳米晶体的层和电荷存储介电层构成的组中选择的存储层。

17.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一编程电压施加于所述第一电流电极以及将所述第二编程电压施加于所述第一电流电极的进一步的特征在于通过经所述第一编程电压斜坡上升到所述第二编程电压来执行。

18.一种对非易失性存储(NVM)单元编程的方法，所述非易失性存储单元包括用于读取所述NVM单元的偏置栅极、源极、和漏极，所述方法包括：

向所述源极施加第一电压达第一时间段；

在施加所述第一电压之后和执行所述NVM单元的读取之前，向所述源极施加第二电压达第二时间段，其中所述第二电压大于所述第一电压；以及

在施加所述第二电压之后和执行所述NVM单元的读取之前，向所述源极施加第三电压达第三时间段，其中所述第三电压大于所述第二电压。