[发明专利]粒子半导体材料的掺杂

权利要求书

1.一种掺杂半导体材料的方法，所述方法包括将一定量的粒子半导体 材料与离子盐或离子盐制剂混合，以引起离子被吸附到所述粒子上或吸附 到所述粒子内，由此改变所述粒子的游离载体浓度，其中所述粒子半导体 材料的粒度在1nm至100μm范围内，其中所述离子盐或离子盐制剂包括 NaCl或MgCl₂。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法包括：将具有过量阳离子物 种的离子盐制剂加入到一定量的粒子半导体材料中，所述具有过量阳离子 物种的离子盐制剂是通过加入相应盐的碱而获得的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述盐是氯化钠(NaCl)，而所述 碱是氢氧化钠(NaOH)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述盐是氯化镁(MgCl₂)，而所 述碱是氢氧化镁(Mg(OH)₂)。

5.根据权利要求所述的方法，所述方法包括：将具有过量阴离子物种 的离子盐制剂加入到一定量的粒子半导体材料中，所述具有过量阴离子物 种的离子盐制剂是通过加入相应盐的酸而获得的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述盐是氯化钠(NaCl)，而所述 酸是盐酸(HCl)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述盐是氯化镁(MgCl₂)，而所 述酸是盐酸(HCl)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子半导体材料包含：第IV 族元素；二元、三元或四元化合物半导体；氧化物；或硫属元素化物半导 体材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述材料包含硅。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的方法，其中所述粒子半导体 材料包含本征材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述材料包含本征硅。

12.根据权利要求8或权利要求9所述的方法，其中所述粒子半导体 材料包含n-型材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述材料包含冶金级硅。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子半导体材料的粒度在 10nm至1000nm范围内。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述粒子半导体材料的粒度在 50nm至500nm范围内。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述粒子半导体材料包含平均 粒度为60nm的标定本征硅纳米粉末。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述粒子半导体材料包含平均 粒度为200nm的冶金级硅纳米粉末。

18.一种可印刷组合物，所述组合物包含根据权利要求1至17中任一 项的方法掺杂的粒子半导体材料、粘合剂以及溶剂，其中，在制备所述掺 杂的粒子半导体材料的方法中，将一定量的粒子半导体材料与离子盐或离 子盐制剂混合，以引起离子被吸附到所述粒子上或吸附到所述粒子内，由 此改变所述粒子的游离载体浓度，其中所述粒子半导体材料的粒度在1nm 至100μm范围内，所述离子盐或离子盐制剂包括NaCl或MgCl₂。

19.根据权利要求18所述的可印刷组合物，其中在与所述粘合剂和/ 或溶剂混合之前，将粒子半导体材料用离子盐或该盐的制剂掺杂。

20.根据权利要求18所述的可印刷组合物，其中在加入所述离子盐或 该盐的制剂之前，将所述粒子半导体材料与粘合剂和/或溶剂混合。

21.根据权利要求18至20中任一项所述的可印刷组合物，其中所述 粘合剂是乙酸丁酸纤维素(CAB)。

22.根据权利要求18所述的可印刷组合物，其中所述溶剂是氯仿、丙 酮或稀释剂。