[发明专利]SiGe异质结双极晶体管中的迁移率增强

权利要求书

1.一种异质结双极晶体管，包括集电极区域、基极区域、非本征基极区域、以及发射极区域，其中所述基极区域包括含SiGe层，其中所述含SiGe层具有不大于100nm的厚度和与所述厚度相关的预定临界锗含量，其中所述含SiGe层的预定临界锗含量不小于10atomic％，以及其中所述含SiGe层具有不小于预定临界锗含量的80％的平均锗含量的锗含量分布。

2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层的锗含量分布是台阶式的或渐变的，且其中所述含SiGe层中的平均锗含量通过在整个含SiGe层上对锗含量积分，以确定层内的积分锗含量，并且将所述积分锗含量除以所述层的厚度而确定。

3.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层中的平均锗含量不小于所述预定临界锗含量的90％。

4.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层中的平均锗含量不小于所述预定临界锗含量的95％。

5.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层中的平均锗含量不小于所述预定临界锗含量的99％。

6.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层具有不大于50nm的厚度，且其中所述含SiGe层的预定临界锗含量不小于17atomic％。

7.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述基极区域包括两个外延半导体层，且其中所述含SiGe层夹置在所述两个外延半导体层之间。

8.如权利要求7所述的异质结双极晶体管，其中所述两个外延半导体层都本质上由硅构成。

9.一种提高具有不大于100nm的厚度的含SiGe基极层的异质结双极晶体管的载流子迁移率的方法，同时没有改变所述基极层的准稳态漂移电场，包括：

测量所述含SiGe基极层的厚度；

基于所述含SiGe基极层的厚度计算临界锗含量，其中所述含SiGe基极层的计算的临界锗含量不小于约10atomic％；

测量所述含SiGe基极层中的锗含量以确定所述含SiGe基极层的锗含量分布；以及

通过以足够的量均匀地增加所述含SiGe基极层中的锗含量来改变所述含SiGe层的锗含量分布，以使得改变的锗含量分布具有不小于所述计算的临界锗含量的80％。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述改变的锗含量分布具有不小于所述计算的临界锗含量的90％的平均锗含量。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述改变的锗含量分布具有不小于所述计算的临界锗含量的95％的平均锗含量。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述改变的锗含量分布具有不小于所述计算的临界锗含量的99％的平均锗含量。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述含SiGe层具有渐变的或台阶式的锗含量分布，且其中所述平均锗含量通过在整个含SiGe基极层上对锗含量积分，以确定积分锗含量，并且将所述积分锗含量除以所述含SiGe基极层的厚度而确定。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述含SiGe层具有不大于50nm的厚度，且其中所述含SiGe层的计算的临界锗含量不小于17atomic％。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述异质结双极晶体管还包括两个外延半导体层，且其中所示含SiGe基极层夹置在所述两个外延半导体层之间。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述两个外延半导体层的锗含量在所述含SiGe基极层中的锗含量分布改变之后保持不变。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述两个外延半导体层的锗含量以如所述含SiGe基极层中的相同的量均匀地增加。