[发明专利]用于推定电路延迟的过程和装置有效
申请号: | 200680031624.3 | 申请日: | 2006-08-01 |
公开(公告)号: | CN101253412A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | H·J·贝蒂三世;D·J·哈撒韦;A·J·苏斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 推定 电路 延迟 过程 装置 | ||
1.一种确定由驱动门驱动的门的延迟的方法,所述驱动门具有不同于被驱动门的地或供给电压的地或供给电压,该方法包含:
由对于被驱动门及其驱动门的供给和地电压确定调节后的供给电压值;以及
将所述调节后的供给电压值作为一个电压参数应用到对于所述被驱动门的、预先特征化的延迟模型。
2.根据权利要求1的方法,其还包含:
根据扭转范围差异调节所述被驱动门的延迟。
3.一种确定被驱动门的至少一个延迟的过程,所述被驱动门被耦合到驱动门,该过程包含:
确定对于被驱动门和驱动门的供给与地电压;
由所确定的电压确定一个电压;以及
由应用到与所述被驱动门相关联的延迟规则的所述一个电压确定所述被驱动门的延迟。
4.根据权利要求3的过程,其还包含:
对于阈值移动和扭转范围差异中的至少一个,调节所述被驱动门的延迟。
5.根据权利要求3的过程,其中,为了确定来自上升转变的延迟,所确定电压的减少对应于Vdd_src-Gnd_sink,其中,所确定的驱动门电压为Vdd_src和Gnd_src,所确定的被驱动门电压为Vdd_sink和Gnd_sink。
6.根据权利要求5的过程,其还包含:
确定所述被驱动门是否为具有多个内部级的复合门。
7.根据权利要求6的过程,其中,对于复合门,对于输入级的所述一个电压为Vdd_src-Gnd_sink,对于后面的级的所述一个电压为Vdd_sink-Gnd_sink。
8.根据权利要求3的过程,其中,为了确定来自下降转变的延迟,所述一个电压对应于Vdd_sink-Gnd_src,
其中,所确定的驱动门电压为Vdd_src和Gnd_src,所确定的被驱动门电压为Vdd_sink和Gnd_sink。
9.根据权利要求8的过程,其还包含:
判断所述被驱动门是否为具有多个内部级的复合门。
10.根据权利要求9的过程,其中,对于复合门,对于输入级的所述一个电压为Vdd_sink-Gnd_src,对于后面的级的所述一个电压为Vdd_sink-Gnd_sink。
11.根据权利要求3的过程,其还包含:
判断所述被驱动门的输入的最终电压是否在所述被驱动门的输出完成其大部分转变之前达到,以及
当所述被驱动门的输入的最终电压在所述被驱动门的输出完成其大部分转变之前达到时,确定下列中的至少一个:
来自上升转变的延迟,其中,所确定的电压的减少对应于Vdd_src-Gnd_sink;以及
来自下降转变的延迟,其中,所确定的电压的减少对应于Vdd_sink-Gnd_src,
其中,所确定的驱动门电压为Vdd_src和Gnd_src,所确定的被驱动门电压为Vdd_sink和Gnd_sink。
12.根据权利要求3的过程,其还包含当输出在输入经过最小逻辑阈值时几乎立即开始转变时推断所述被驱动门为单级门。
13.根据权利要求3的过程,其中,调节后的以及传统的值被用于计算后期与早期模式延迟。
14.根据权利要求13的过程,其中,对于后期模式延迟,所述一个电压由下面的公式确定:
delay_rising_in=f(min(Vdd_sink-Gnd_sink,Vdd_src-Gnd_sink))以及
delay_falling_in=f(min(Vdd_sink-Gnd_sink,Vdd_sink-Gnd_src)),
其中,所确定的驱动门电压为Vdd_src和Gnd_src,所确定的被驱动门电压为Vdd_sink和Gnd_sink。
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