[发明专利]稀土氧硫化物闪烁体及其生产方法

权利要求书

1.一种生产稀土氧硫化物闪烁陶瓷体的方法，其包含：

提供一种具有通式(M_1-xLn_x)₂O₂S的粉末，其中M是至少一种稀土元素，Ln是至少一种选自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Dy、Sm、Nd和Ho的元素，并且1×10^-6＜x＜2×10^-1；

对该粉末进行热处理以形成一种具有闭孔孔隙的固结体，其中热处理在T_ht温度下进行，1100℃＜T_ht＜1500℃；

在具有T_hip温度的气体热等静压环境中对该固结体进行气体热等静压处理，直到其密度不小于理论密度的99％，其中1100℃＜T_hip＜1500℃，从而形成一种致密化体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，M选自Y、La和Gd。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，M是Gd。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，Ln至少含有Pr或Tb。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，Ln还含有Ce。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理通过热压进行，在所述T_ht温度下进行的所述热处理过程中，粉末被单轴挤压。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，热压在1ksi至30ksi的压力范围内进行。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，热压在4ksi至20ksi的压力范围内进行。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固结体的密度不小于理论密度的90％。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述固结体的密度不小于理论密度的95％。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固结体中无开孔孔隙。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，T_hip不大于1450℃。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，T_hip不大于1400℃。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，T_hip在1200至1400℃范围内。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，T_hip在1300至1400℃范围内。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体热等静压环境是惰性气体环境。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述惰性气体环境为氩气或氮气环境。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体热等静压在10至100ksi的气压下进行。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述气体热等静压在20至50ksi的气压下进行。

20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述气体热等静压处理过程中，将所述固结体置于含有加工气体源的局部环境中。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述加工气体源包含牺牲性粉末。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述牺牲性粉末包含稀土氧硫化物粉末。

23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述稀土氧硫化物粉末的组成与所述形成固结体的粉末的组成相同。

24.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述牺牲性粉末包含氧化物粉末。

25.如权利要求21所述的方法，其特征在于，将所述固结体置于含有牺牲性粉末的坩埚中，该坩埚确定了所述局部环境的体积。

26.如权利要求21所述的方法，其特征在于，将所述固结组分包埋在所述牺牲性粉末中。