[发明专利]晶体管、有机半导体元件及它们的制造方法

权利要求书

1.晶体管的制造方法，其为具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、控制通过所述电流通路的电流的栅极、以及配置在所述活性层和所述栅极之间的绝缘层的晶体管的制造方法，其包括：

在所述活性层和所述绝缘层之间存在施工液，将所述活性层和所述绝缘层粘贴的粘贴工序。

2.权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述施工液与所述绝缘层的接触角为120度以下。

3.权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述施工液与所述绝缘层的接触角为90度以下。

4.权利要求1～3任一项所述的晶体管的制造方法，其中，在所述粘贴工序中粘贴的活性层形成于支撑薄膜上。

5.权利要求1～4任一项所述的晶体管的制造方法，其中，在所述粘贴工序之后，还具有除去所述施工液中挥发成份的除去工序。

6.权利要求1～5任一项所述的晶体管的制造方法，其中，在所述粘贴工序中进行加热和/或加压。

7.权利要求1～6任一项所述的晶体管的制造方法，其中，所述活性层为取向的活性层。

8.晶体管的制造方法，其为具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、以及控制通过所述电流通路的电流的栅极的晶体管的制造方法，其包括：

在与该面之间存在施工液而将所述活性层粘贴于形成该活性层的面的粘贴工序。

9.权利要求1～8任一项所述的晶体管的制造方法，其中，所述晶体管在所述源极和/或所述活漏极与所述活性层之间具有含有与所述有机半导体化合物不同的化合物的层。

10.有机半导体元件的制造方法，其为具有含有有机半导体化合物的活性层的有机半导体元件的制造方法，其包括：

在与该面之间存在施工液而将所述活性层粘贴于形成该活性层的面的粘贴工序。

11.晶体管，其具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、控制通过所述电流通路的电流的栅极、以及配置在所述活性层和所述栅极之间的绝缘层，

所述活性层和所述绝缘层通过存在于它们之间的施工液而粘贴。

12.权利要求11所述的晶体管，其中，所述施工液与所述绝缘层的接触角为120度以下。

13.权利要求11所述的晶体管，其中，所述施工液与所述绝缘层的接触角为90度以下。

14.权利要求11～13任一项所述的晶体管，其中，所述活性层为取向的活性层。

15.晶体管，其具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、以及控制通过所述电流通路的电流的栅极，

在与该面之间存在施工液而将所述活性层粘贴于形成该活性层的面。

16.权利要求11～15任一项所述的晶体管，其中，所述源极和/或所述漏极与所述活性层之间具有含有与有机半导体化合物不同化合物的层。

17.有机半导体元件，其为具有含有有机半导体化合物的活性层的有机半导体元件，

在与该面之间存在施工液而将所述活性层粘贴于形成该活性层的面。

18.权利要求17所述的有机半导体元件，其中，所述活性层为取向的活性层。

19.半导体装置，其具有权利要求11～16任一项所述的晶体管。

20.半导体装置，其具有权利要求17或18所述的有机半导体元件。