[发明专利]光学装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200680032121.8 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101253426A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赤羽良启;织田一彦;松浦尚;后利彦;今井贵浩 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B6/12;G02B6/036;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学装置，该光学装置包括含有硅、氧、碳和氢作为主要成分的透明薄膜，其中所述薄膜包括具有较高折射率的局部区和具有较低折射率的局部区。
2.根据权利要求1的光学装置，其中就所述具有较高折射率的局部区和所述具有较低折射率的局部区的平均组成而言，所述透明薄膜的C/Si原子％比值为大于1.0而小于13.0，并且O/Si的原子％比值为大于0.5而小于2.0。
3.根据权利要求1的光学装置，其中就所述具有较高折射率的局部区和所述具有较低折射率的局部区的平均组成而言，所述薄膜的C/Si原子％比值为大于1.0而小于2.0，O/Si的原子％比值为大于0.5而小于2.0，并且H/C的原子％比值为大于1.0而小于4.0。
4.一种制造权利要求1的光学装置的方法，其包括以下步骤：
向所述含有硅、氧、碳和氢作为主要成分的薄膜的局部区域施加诸如离子束、电子束或中子束之类的粒子线或者诸如紫外线、X射线或γ射线之类的电磁波，以调制折射率。
5.根据权利要求4的制造光学装置的方法，其中在含有氧气的气氛下进行所述折射率的调制。
6.根据权利要求4的制造光学装置的方法，其中对这样一种薄膜进行所述折射率的调制，所述薄膜含有硅、氧、碳和氢作为主要成分，并且其C/Si的原子％比值为大于1.0而小于13.0，O/Si的原子％比值为大于0.5而小于1.5。
7.根据权利要求4的制造光学装置的方法，其中对这样一种薄膜进行所述折射率的调制，所述薄膜含有硅、氧、碳和氢作为主要成分，并且其C/Si的原子％比值为大于1.0而小于3.0，O/Si的原子％比值为大于0.5而小于1.5，并且H/C的原子％比值为大于0.8而小于4.0。
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