[发明专利]二维光子晶体面发光激光光源

权利要求书

1、一种二维光子晶体面发光激光光源，具备：

a)基板，其由对目的波长具有透光性的材料构成；

b)活性层，其设于所述基板下侧；

c)二维光子晶体，其设置在所述基板和所述活性层之间或比所述活性层更靠近下侧，并在板状的母材内周期性配置多个折射率不同于母材的异折射率区域而成，且将所述目的波长的光放大；

d)安装层，其设置在比所述二维光子晶体及所述活性层更靠近下侧，按照从该层的下表面到所述活性层为止的距离比从所述基板的上表面到所述活性层的距离更短的方式设置，安装时与外部的部件相接；

e)窗口状电极，其设于所述基板的上面，具有使所述目的波长的激光通过的窗口；和

f)安装面电极，其设于所述安装层的下面，面积比包含所述窗口的所述窗口状电极的面积窄。

2、如权利要求1所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，包含所述窗口的所述窗口状电极的面积与所述安装面电极的面积之比为2∶1～400∶1，从所述基板上表面到所述活性层为止的距离和从所述安装面下表面到活性层为止的距离之比为2∶1～400∶1。

3、如权利要求1或2所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，所述异折射率区域被配置成正方晶格状，该异折射率区域的形状相对于该正方晶格的至少一轴为非对称。

4、如权利要求3所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，所述异折射率区域的形状为正三角形。

5、如权利要求1～4中任一项所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，在由所述活性层及所述二维光子晶体构成的激光振荡部的下侧，具备使所述目的波长的激光反射的反射部。

6、如权利要求5所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，所述反射部配置在所述激光振荡部和所述安装面电极之间。

7、如权利要求5所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，

所述安装层由导电性材料构成，在该安装层的下面的局部区域即导电性区域的周围形成有绝缘性区域，

所述安装面电极按照覆盖所述绝缘性区域的方式设置，且由反射所述目的波长的激光的材料构成。

8、如权利要求7所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，所述绝缘性区域通过将用于提高电气阻抗的离子注入安装层而形成。

9、如权利要求5～8中任一项所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，对所述激光振荡部和所述反射部的距离进行设定，以使从所述激光振荡部射出且由所述反射部反射的反射光和从所述激光振荡部向所述窗口状电极侧射出的直接射出光，进行干涉而被增强。

10、如权利要求9所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，所述激光振荡部和所述反射部的距离通过在该激光振荡部和该反射部之间配置的一个或多个距离调节层来调节。

11、如权利要求1～10中任一项所述的二维光子晶体面发光激光光源，其特征在于，所述活性层是InGaAs和GaAs的多量子阱，所述基板是n型GaAs。