[发明专利]基于硅和氟化钙的结合的半导体光源

权利要求书

1.一种半导体结构，包括硅(Si)和氟化钙(CaF₂)，该半导体结构可作为光源来工作。

2.如权利要求1所述的发明，其中，所述半导体结构还包括至少两个电极。

3.如权利要求1所述的发明，其中，所述硅和所述氟化钙中的至少一个被掺杂。

4.如权利要求3所述的发明，其中，所述硅中的至少一些被掺杂有掺杂剂而成为n型硅。

5.如权利要求3所述的发明，其中，所述氟化钙被掺杂有掺杂剂而成为n型氟化钙。

6.如权利要求5所述的发明，其中，氟化钙与氟化镉形成合金。

7.如权利要求1所述的发明，其中，布置所述半导体结构以具有非平直的形状。

8.如权利要求1所述的发明，其中，所述半导体结构适应于被电泵浦。

9.如权利要求1所述的发明，其中，所述半导体结构利用子带间跃迁来工作。

10.如权利要求9所述的发明，其中，所述子带间跃迁发生在导带中。

11.如权利要求9所述的发明，其中，使所述Si形成为至少一层，其具有范围从5埃至100埃的厚度。

12.如权利要求9所述的发明，其中，使所述CaF₂形成为至少一层，其具有范围从5埃至50埃的厚度。

13.如权利要求12所述的发明，还包括不与氟化镉形成合金的所述CaF₂的至少一层，并且其中，与不与氟化镉形成合金的所述CaF₂层相比，CaF₂和氟化镉的所述合金的所述层更易被掺杂而具有导电性。

14.如权利要求1所述的发明，其中，所述硅与锗形成合金。

15.如权利要求9所述的发明，其中，硅和锗的所述合金实现了与所述CaF₂接近理想的晶格匹配。

16.如权利要求1所述的发明，其中，所述半导体结构的至少一个表面可至少部分地反射所述光。

17.如权利要求1所述的发明，其中，将所述硅和所述氟化钙布置成交替层。

18.如权利要求17所述的发明，其中，所述硅和所述氟化钙的所述交替层形成至少一个活性区。

19.如权利要求17所述的发明，其中，所述硅和所述氟化钙的所述交替层形成至少一个超晶格区。

20.如权利要求17所述的发明，还包括在其上形成所述硅和所述氟化钙的所述交替层的基底。

21.如权利要求20所述的发明，其中，所述基底还包括硅的衬底、在所述硅的衬底上的二氧化硅层、在所述二氧化硅层上的硅层以及在所述硅层上且被掺杂而导电的硅层。

22.如权利要求21所述的发明，还包括在所述导电的硅层的至少一部分上的金属层。

23.一种产生光的方法，包括将一个或多个电子注入到具有量子阱和势垒的量子阱结构中，其中基本上包括硅的层形成所述量子阱，而主要包括氟化钙的层提供所述势垒。