[发明专利]光刻技术方法无效

专利信息
申请号: 200680032459.3 申请日: 2006-09-05
公开(公告)号: CN101258446A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 彼得·桑德贝尔根;耶罗恩·H·拉默斯;戴维·范斯滕温克尔 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G03F7/039 分类号: G03F7/039;G03F7/038
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 技术 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻图案成形的方法,其包括步骤:

向要形成图案的表面涂覆光致抗蚀剂(18),该光致抗蚀剂包含聚合物树脂、在曝光于光化辐射时产生催化剂的光催化剂产生剂、以及淬灭剂;

通过掩模图案(12)将光致抗蚀剂(18)曝光于光化辐射;

执行曝光后烘焙;以及然后

用显影剂对光致抗蚀剂(18)进行显影,以去除在显影剂中变得可溶解的光致抗蚀剂部分;

其中,聚合物树脂在曝光于光化辐射之前基本上不溶解于显影剂,而通过催化剂的作用以及烘焙中的淬灭剂的作用,变得溶解于显影剂中,或者聚合物树脂在曝光于光化辐射之前溶解于显影剂,而通过催化剂的作用以及烘焙中的淬灭剂的作用,变得基本上不溶解于显影剂中。

2.按照权利要求1所述的方法,其中,光催化剂产生剂是光酸产生剂,其在曝光于光化辐射时产生酸。

3.按照之前任何一项权利要求所述的方法,其中,聚合物树脂包括具有主链和多个受保护的羧酸基团的聚合物

4.按照权利要求3所述的方法,其中,受保护的羧酸基团是酯或酸酐基团。

5.按照之前任何一项权利要求所述的方法,其中,还包括在曝光后烘焙以及显影之后的硬烤。

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