[发明专利]微传感器设备无效

专利信息
申请号: 200680032699.3 申请日: 2006-09-07
公开(公告)号: CN101258407A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: J·A·H·卡尔曼;B·M·德布尔;A·H·J·伊明克;J·尼乌文赫伊斯 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01N33/543 分类号: G01N33/543;G01N27/72
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 传感器 设备
【权利要求书】:

1、一种用于确定物理量的微传感器设备(100),尤其是一种生物传感器设备,包括:

a)至少一个用于测量所述物理量的探针传感器(10.1、10.2、10.3);

b)至少一个用于测量所述物理量的基准值的基准传感器(10.4);

c)用于处理所述传感器(10.1、10.2、10.3、10.4)的信号的检测器单元(121-129);

d)用于选择性地将所述检测器单元(121-129)耦合到所述传感器(10.1、10.2、10.3、10.4)的复用器(123.1-123.N、126.1-126.2N)。

2、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和所述基准传感器(10.4)被设计成使它们处于基本相同的环境条件。

3、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和所述基准传感器(10.4)之间的空间距离小于所述传感器(10.1、10.2、10.3、10.4)的最大直径的十倍,优选小于其两倍。

4、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和所述基准传感器(10.4)是热耦合的。

5、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述复用器(123.1-123.N、126.1-126.2N)被设计成在其中环境条件基本上是空间均匀的。

6、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述基准传感器(10.4)被屏蔽以免受所述物理量的影响。

7、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和/或所述基准传感器(10.4)包括用于产生电磁场的电路和/或用于检测电磁场的电路,尤其是GMR(12)、TMR或AMR。

8、根据权利要求7所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和/或所述基准传感器(10.4)包括在集成电路中,至少一个用于产生电磁场的导线(11.1、…、13.N)和至少一个用于检测电磁场的磁致电阻元件,尤其是GMR(12.1、…、12.N)。

9、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,所述基准传感器(10.4)被层(15)覆盖。

10、根据权利要求1所述的微传感器设备(100),其特征在于,通过所述基准传感器(10.4)的复数据来实现所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)的测量值的归一化。

11、一种用于确定物理量的方法,包括如下步骤:

a)利用至少一个探针传感器(10.1、10.2、10.3)测量所述物理量;

b)利用与所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)处于基本相同的环境条件下的基准传感器(10.4)测量所述物理量的基准值;

c)通过同一检测器单元(121-129)依次处理所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和所述基准传感器(10.4)的信号;

d)相对于所述基准传感器(10.4)的测量值评估所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)的测量值。

12、根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在测量期间利用类似参数操作所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和所述基准传感器(10.4)。

13、根据权利要求11所述的方法,其特征在于,一个紧接着一个地立即处理所述探针传感器(10.1、10.2、10.3)和所述基准传感器(10.4)的信号。

14、在微传感器设备(100)中使用被层(15)覆盖的基准传感器(10.4)。

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