[发明专利]具有压电声学共振元件的装置及其制造方法以及输出取决于共振频率的信号的方法有效
申请号: | 200680032859.4 | 申请日: | 2006-09-07 |
公开(公告)号: | CN101258676A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | R·加布尔;M·施雷特 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H03H9/05 | 分类号: | H03H9/05;G01N29/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢江;刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 压电 声学 共振 元件 装置 及其 制造 方法 以及 输出 取决于 共振频率 信号 | ||
1.一种包括至少一个压电声学共振元件(2)的装置,该压电声学共振元件具有压电层(32)和两个与该压电层(32)电接触的电极,其中压电声学共振元件(2)这样实现,通过用电极在压电层(32)上施加电压,激励压电层(32)以共振频率进行声学体振动,其特征在于,具有与该压电声学共振元件(2)集成的温度获取装置(3)。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度获取装置(3)包括实施为薄层的测量元件。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,层厚<25μm。
4.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,所述温度获取装置(3)与压电声学共振元件(2)以层技术设置在共同的载体衬底(35)上。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述压电声学共振元件(2)的电极和温度获取装置(3)作为层设置在载体衬底(35)上。
6.根据权利要求4或5所述的装置,其特征在于,所述载体衬底(35)由半导体材料制成。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的装置,其特征在于,所述测量元件实施为金属线路。
8.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,所述测量元件基本上由铂制成。
9.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,在载体衬底(35)和压电声学共振元件(2)之间设置声波反射镜(36),该声波反射镜由多个层组成。
10.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,加热元件和压电声学共振器(32)之间的横向间距小于100μm。
11.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,所述压电声学共振元件(2)实施为阵列,包括多个具有相应电极的压电层(32)和至少一个温度获取装置(3)。
12.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,具有与所述压电声学共振元件(2)集成的加热装置。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述装置实施为使得所述温度获取装置(3)的测量元件也能作为所述加热装置的加热元件运行。
14.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,具有外部的或者集成在该装置中的分析装置(4),该分析装置用于从测量元件的依据温度的电阻变化中确定温度。
15.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,包括校正装置(8),用于根据由所述温度获取装置(3)所确定的值校正压电声学共振元件(2)的共振频率。
16.根据上述权利要求之一所述的装置,其特征在于,该装置实施为采用压电声学共振元件(2)检测物质的传感器元件,其中该压电声学共振元件(2)具有用于吸附该物质的表面段,并且该压电声学共振元件(2)的输出信号取决于该物质的沉积。
17.根据权利要求16所述的装置,其特征在于,所述温度获取装置(3)位于传感器元件的这样一个位置上,即使得该温度获取装置(3)在传感器元件的测量过程中与含有待检测物质的测量介质接触。
18.一种用于制造权利要求1至17中任一项所述装置的方法,具有步骤:在载体衬底(35)上敷设金属层,对该金属层形成显微结构以从该层中产生压电声学共振元件(2)的电极和温度获取装置(3)的测量元件。
19.一种用于输出取决于共振频率的信号的方法,其特征在于具有步骤:
通过温度获取装置(3)获取根据权利要求1前序部分、尤其是根据权利要求1至17中任一项的装置的压电声学共振元件(2)的工作温度,
激励该压电声学共振元件(2)的压电层(32)以共振频率进行体振动,
输出取决于所测得的工作温度的输出信号。
20.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,包括步骤:输出取决于所测得的共振频率的输出值。
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