[发明专利]半导体器件测试装置以及供电单元

权利要求书

1. 一种半导体器件测试装置，包括：

测试LSI；

供电单元；和

中间基板，其被提供用于使所述测试LSI、与所述供电单元和测试器之间存在连接；

所述测试LSI具有测试电路和波形整形电路，被设置成面对被测试半导体器件的介电材料层，被设置在面对所述被测试半导体器件的介电材料层的表面上的、与所述被测试半导体器件的外部端子电极的位置对应的位置中的电极，和第一穿透电极，所述第一穿透电极完全穿过所述介电材料层、连接到所述电极、并用于与外部交换信号；和

所述供电单元具有相互独立的弹性探针、基板和穿过该基板的第二穿透电极，所述弹性探针被设置在与所述被测试半导体器件的供电电极对应的位置中、并在其末端处提供有金属突起，所述基板电连接到探针、并在其上形成有第一布线层。

2. 如权利要求1的半导体器件测试装置，其中所述探针中的所述金属突起由一个或多个金属层构成，并具有如下结构，在该结构中，根据所述被测试半导体器件的所述供电电极的材料，在所述金属突起的表面上形成由具有良好接触特性的材料构成的一个或多个金属层，在所述第一布线层上形成由一个或多个金属层构成的第二布线层，并且在所述金属突起的表面上形成的所述一个或多个金属层与所述第二布线层相隔离。

3. 如权利要求1或2的半导体器件测试装置，其中所述介电材料层是由具有高介电常数和弹性的材料形成的。

4. 如权利要求1至3中任一项的半导体器件测试装置，还包括：

连接部件，用于连接所述测试LSI和所述供电单元；

各向异性导电片，其被设置在由所述连接部件连接的所述测试LSI、与所述供电单元和所述中间基板之间，且其中导电颗粒聚集在电极部分中，或者是其中嵌入了精细金属布线的各向异性导电片；和

固定部件，用于借助于所述供电单元，通过从所述供电单元的所述第一布线层侧支撑所述各向异性导电片，将所述各向异性导电片固定到所述中间基板。

5. 如权利要求1至3中任一项的半导体器件测试装置，其中

所述测试LSI被分成高密度布线基板和专用测试LSI，

所述高密度布线基板具有在面对所述被测试半导体器件的表面上的、与所述被测试半导体器件的所述外部端子电极的位置对应的位置中设置的表面电极，在与面对所述被测试半导体器件的表面相反侧上的表面上形成的后表面电极，和用于连接所述表面电极和所述后表面电极的布线层，

所述专用测试LSI具有所述测试电路和所述波形整形电路，和

所述高密度布线基板和所述专用测试LSI被电连接起来。

6. 如权利要求2至5中任一项的半导体器件测试装置，其中所述第二布线层的体积电阻率小于所述第一布线层的体积电阻率。

7. 如权利要求2至6中任一项的半导体器件测试装置，其中在所述供电单元中的所述第一布线层和所述基板之间设置由一个或多个金属层构成的第三金属层。

8. 如权利要求7的半导体器件测试装置，其中所述第三金属层的体积电阻率小于所述第一布线层的体积电阻率。

9. 如权利要求1至8中任一项的半导体器件测试装置，其中：

所述金属突起的形状是棱柱形状，其中面对所述被测试半导体器件的表面具有矩形形状；

其宽度是所述探针的宽度或更小宽度；

其长度等于或大于通过以下加法获得的尺寸，所述加法是将在所述探针已经与所述半导体器件的电源电极接触之后所述探针的末端部分的移动距离，与将沿着长度方向的所述探针的位置容限和所述半导体器件的电源电极的尺寸容限纳入考虑的长度相加；

其高度等于或大于通过以下加法获得的尺寸，所述加法是使用第一布线层的表面作为基准，将所述被测试半导体器件的电源电极已经与所述金属突起接触之后的缩进距离，与将所述金属突起的高度容限和所述被测试半导体器件的电源电极的高度容限纳入考虑的高度相加。

10. 如权利要求2至9的半导体器件测试装置，其中在所述金属突起的表面上形成的所述一个或多个金属层是金或者金合金层。

11. 如权利要求2至10中任一项的半导体器件测试装置，其中在所述金属突起表面上形成的所述一个或多个金属层在其表面上具有细微的凹凸形状。