[发明专利]利用H2添加物对具有高介电常数的膜的选择性蚀刻无效

专利信息
申请号: 200680033073.4 申请日: 2006-09-06
公开(公告)号: CN101263585A 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 刘身健;琳达·凤鸣·李;安东尼·陈 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 利用 sub 添加物 具有 介电常数 选择性 蚀刻
【权利要求书】:

1. 一种用于相对于硅基材料选择性蚀刻高k层的方法,包括:

将所述高k层设在蚀刻室中;

将蚀刻剂气体提供入所述蚀刻室,其中所述蚀刻剂气体包括H2;以及

由所述蚀刻剂气体生成等离子体,以相对于所述硅基材料选择性蚀刻所述高k层。

2. 根据权利要求1所述的方法,其中所述高k介电层是氧化物层。

3. 根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中所述蚀刻剂气体进一步包括含卤素组分。

4. 根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述蚀刻剂气体进一步包括稀有气体。

5. 根据权利要求1所述的方法,其中所述蚀刻剂气体进一步包括BCl3和惰性气体。

6. 根据权利要求5所述的方法,其中所述蚀刻剂气体具有在0.2-5∶1之间的H2与BCl3体积流量比。

7. 根据权利要求5-6中任一项所述的方法,其中所述蚀刻剂气体具有小于500sccm的惰性气体的体积流量。

8. 根据权利要求5-7中任一项所述的方法,其中所述蚀刻剂气体进一步包括Cl2

9. 根据权利要求8所述的方法,其中所述蚀刻剂气体具有在0-0.5∶1之间的Cl2与BCl3的体积流量比。

10. 根据权利要求1所述的方法,其中所述蚀刻剂气体进一步包括BCl3和Cl2

11. 根据权利要求10所述的方法,其中所述蚀刻剂气体具有在0.2-5∶1之间的H2与BCl3的体积流量比。

12. 根据权利要求10-11中任一项所述的方法,其中所述蚀刻剂气体具有在0-0.5∶1之间的Cl2与BCl3的体积流量比。

13. 根据权利要求1-12中任一项所述的方法,其中所述硅基材料是硅和氮化硅中的至少一种,以及其中所述高k层是Hf硅酸盐、HfO2、Zr硅酸盐、ZrO2、Al2O3、La2O3、SrTiO3、SrZrO3、TiO2和Y2O3中的至少一种。

14. 根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述硅基材料形成层,进一步包括在选择性蚀刻所述高k层之后蚀刻所述硅基材料层。

15. 一种由权利要求1-14中任一项所述的方法形成的半导体器件。

16. 一种用于蚀刻在硅基层之上具有高k层的叠层的方法,包括:将所述叠层设在蚀刻室内;

相对于所述硅基层选择性蚀刻所述高k层,包括:

将高k层蚀刻剂气体提供入所述蚀刻室,其中所述高k层蚀刻剂气体包括H2;以及

由所述高k层蚀刻剂气体生成等离子体,以相对于所述硅基层选择性蚀刻所述高k层;

停止所述选择性蚀刻所述高k层;以及

相对于所述高k层选择性蚀刻所述硅基层。

17. 根据权利要求16所述的方法,其中所述高k层蚀刻剂气体进一步包括BCl3和Cl2,以及其中所述硅基层由硅基材料形成,所述硅基材料包括硅和氮化硅的至少一种。

18. 根据权利要求17所述的方法,其中所述高k层蚀刻剂气体具有在0.2-5∶1之间的H2与BCl3的体积流量比,以及其中所述硅基材料是硅。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680033073.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top