[发明专利]具有薄板内联机的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

一导线架，其具有漏极、源极与栅极引脚；

一半导体晶粒，其耦合该导线架，该半导体晶粒具有金属化源极与栅极区域；

一图案化源极连接，其耦合该源极引脚至该半导体晶粒金属化源极区域；

一图案化栅极连接，其耦合该栅极引脚至该半导体晶粒金属化栅极区域；

一半导体晶粒漏极区域，其耦合至该漏极引脚；以及

一封装体，其覆盖该半导体晶粒及该漏极、该源极与该栅极引脚的至少一部分。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化源极连接的一部份是曝露在该封装体外面的。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化栅极连接包括一开口，通过该开口使得图案化栅极连接被焊接至金属化栅极区域。

4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述的焊料在该图案化栅极连接的顶部形成一固定组件。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化栅极连接与该图案化源极连接是分别焊接至金属化栅极区域和金属化源极区域的。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化栅极连接在其一端包括一勾部。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化栅极连接在其一端包括一平面部。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的金属化源极与栅极区域包括圆形金属化区域，其透过保护区域绝缘。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的金属化源极与栅极区域包括一上方镍/金层。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的漏极区域包括一金属化漏极区域。

11.如权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述的金属化漏极区域包括一上方镍/金层。

12.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述的漏极引线的底面部份曝露在该封装体外面。

13.一种半导体封装，其特征在于，包括：

一导线架，其具有漏极、源极与栅极引脚；

一半导体晶粒，其耦合该导线架，该半导体晶粒具有镍/金金属化源极与栅极区域；

一图案化源极连接，其耦合该源极引脚至该半导体晶粒金属化源极区域，该图案化源极连接焊接至该半导体晶粒金属化源极区域；

一图案化栅极连接单元，其耦合该栅极引脚至该半导体晶粒金属化栅极区域，该图案化栅极连接焊接至该半导体晶粒金属化栅极区域；

一半导体晶粒漏极区域，其耦合至该漏极引脚；以及

一封装体，其覆盖该半导体晶粒及该漏极、源极与栅极引脚的至少一部分。

14.如权利要求13所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化源极连接的一部份是曝露在该封装体外面的。

15.如权利要求13所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化栅极连接包括一开口，通过该开口使得图案化栅极连接被焊接至金属化栅极区域。

16.如权利要求15所述的半导体封装，其特征在于，所述的焊料在该图案化栅极连接的顶部形成一固定组件。

17.一种半导体封装，其具有一栅极固定组件固定至一半导体晶粒金属化栅极保护区域，其特征在于，该半导体封装包括：

一导架线，其具有漏极、源极与栅极引脚；

一半导体晶粒，其耦合该导线架，该半导体晶粒具有金属化源极与栅极区域；

一源极固定组件，其耦合该源极引脚至该半导体晶粒金属化源极区域；

一半导体晶粒漏极区域，其耦合至该栅极引脚；

一封装体，其覆盖该半导体晶粒及该漏极、源极与栅极引脚的至少一部分；以及

其中藉由在该栅极固定组件中所形成的一孔洞，该栅极固定组件耦合该栅极引脚至该半导体晶粒金属化栅极区域。

18.如权利要求17所述的半导体封装，其特征在于，所述的图案化源极连接的一部份是曝露在该封装体外面的。