[发明专利]在发光区域中具有横向电流注入的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

n型区；

有源区，其被配置为发射光；和

p型区，其中所述p型区包括至少一个延伸部分，其延伸到有源区中。

2.权利要求1的器件，其中有源区包括至少一个III族氮化物层。

3.权利要求1的器件，其中有源区包括至少两个量子阱层，其由至少一个阻挡层隔开。

4.权利要求3的器件，其中延伸部分穿透至少一个量子阱层。

5.权利要求1的器件，其中延伸部分具有250nm-1000nm之间的宽度。

6.权利要求1的器件，其中有源区与n型区相邻，其中延伸部分通过有源区延伸到n型区中100nm之内。

7.权利要求1的器件，其中延伸部分具有200nm-1000nm之间的深度。

8.权利要求1的器件，其中延伸部分具有400nm-600nm之间的深度。

9.权利要求1的器件，其中至少一个延伸部分是第一延伸部分，所述器件进一步包括延伸到有源区中的第二延伸部分，其中第一延伸部分和第二延伸部分分开的间距在0.3微米-10微米之间。

10.权利要求1的器件，其中至少一个延伸部分是第一延伸部分，所述器件进一步包括延伸到有源区中的第二延伸部分，其中第一延伸部分和第二延伸部分分开的间距在1微米-3微米之间。

11.权利要求1的器件，其中：

P型区具有顶部表面；

延伸到有源区中的至少一个延伸部分自顶部表面的第一部分延伸；并且

顶部表面的第二部分没有在延伸到有源区中的延伸部分；

所述器件进一步包括在第二部分上形成的半导体层，所述半导体层未被有意掺杂或者具有小于p型区中的掺杂剂浓度的掺杂剂浓度。

12.权利要求11的器件，其中半导体层是未被有意掺杂的GaN。

13.权利要求1的器件，其中：

P型区具有顶部表面；

延伸到有源区中的至少一个延伸部分自顶部表面的第一部分延伸；并且

顶部表面的第二部分没有延伸到有源区中的延伸部分；

所述器件进一步包括在第二部分上形成的半导体层，所述半导体层具有大于p型区中的带隙的带隙。

14.权利要求13的器件，其中半导体层是AlGaN。

15.权利要求1的器件，进一步包括：

第一和第二接触，其电气连接到n型区和p型区；

引线，其电气连接到第一和第二接触；和

透明封盖，其安置在有源区上。

16.一种方法，包括：

形成半导体结构，其包括安置在n型区和p型区之间的有源区，所述有源区包括至少一个III族氮化物层；并且

形成p型区的延伸部分，其延伸到有源区中。

17.权利要求16的方法，其中形成延伸部分包括：

在至少一部分有源区中生长凹坑缺陷；并且

提供填充凹坑缺陷的p型材料。

18.权利要求17的方法，进一步包括在提供p型材料之前刻蚀凹坑缺陷。

19.权利要求16的方法，其中形成延伸部分包括，使p型掺杂剂扩散到一部分有源区中。

20.权利要求16的方法，其中形成延伸部分包括，将p型掺杂剂注入到一部分有源区中。

21.权利要求16的方法，其中形成延伸部分包括：

刻蚀掉一部分有源区；并且

提供填充刻蚀部分的p型材料。