[发明专利]使用基材背面压力测量的基材定位确定

权利要求书

1.一种判定是否一基材适当地被置放在一真空夹持件的表面上的方 法，该方法至少包含：

维持住基本上恒定的压力于一制程腔室中，该真空夹持件的上表面暴 露于该制程腔室中的压力；

建立一低压于一局限空间中，其中该局限空间是沟通于该基材的底表 面；

将该局限空间隔离开一来源，其中该来源用以建立该低压；

量测该局限空间中的压力增加速率或达到该局限空间中一给定压力所 需要时间；以及

将该压力增加速率或该时间关联于在该真空夹持件上该基材的满足或 不满足的置放的一指示物。

2.如权利要求1所述的方法，其中该压力增加速率或一设定点压力是 使用一压力换能器而被量测，该压力换能器是沟通于该局限空间的一部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中一薄膜涂覆物正被施加在该制程腔 室中的一基材上，且在该真空夹持件上该基材的满足或不满足的置放的指 示物为累积在基材背侧的涂覆量。

4.如权利要求3所述的方法，其中该基材是选自包含以下的群组：半 导体晶片、平面面板显示器基材、与太阳能电池基材。

5.如权利要求4所述的方法，其中该基材为半导体晶片。

6.如权利要求1所述的方法，其中该制程腔室中的压力是介于约200 托耳至约600托耳范围内。

7.如权利要求6所述的方法，其中该基材的底表面下方的该局限空间 中的低压是起初地介于约0.3托耳至约15托耳范围内。

8.如权利要求7所述的方法，其中该局限空间中的压力增加速率是低 于约60托耳/分钟，其中该压力增加速率是导因于该制程腔室中的压力。

9.如权利要求8所述的方法，其中该压力增加速率是介于约5托耳/ 分钟至低于约60托耳/分钟范围内。

10.如权利要求1所述的方法，其中该指示物为所沉积薄膜厚度均匀 性、背侧晶片涂覆物量、或其组合。

11.如权利要求10所述的方法，其中该指示物为薄膜均匀性，且其中 一可接受的压力增加速率是关联于一变化超过约2％的薄膜厚度均匀性。

12.一种用以判定是否一基材适当地被置放在一晶片夹持件的表面上 的设备，该设备至少包含：

a)制程腔室，其被密封隔离周围环境，使得接触于欲被处理基材的表 面的第一压力能够被控制；

b)至少一真空夹持件，其具有包括至少一开孔的表面，所述开孔是沟 通于至少一导管，一低于该第一压力的第二压力被建立于所述导管中；

c)至少一真空系统，其用以建立该第二压力；

d)隔离装置，其能够隔离该导管，其中该导管是自该真空系统沟通于 该开孔，该真空系统用以建立该第二压力；

e)压力感测装置，其量测该导管中的压力；以及

f)指示物，其关联于该导管中的压力，该指示物是指示出是否该基材适 当地被置放在真空夹持件表面上。

13.如权利要求12所述的设备，其中该第一压力低于大气压力。

14.如权利要求13所述的设备，其中该至少一真空系统亦用以建立该 制程腔室中的压力，其中该制程腔室中的压力低于大气压力，其中所述真 空系统用以建立低于大气压力的第二压力于该导管中。

15.如权利要求14所述的设备，其中存在有一阀件系统，其适用以使 该导管中的该第二压力低于该制程腔室中的该第一压力。

16.如权利要求12所述的设备，其中该指示物是关联于该导管中的一 压力增加速率。

17.如权利要求12所述的设备，其中该指示物是关联于需要达到一名 义上指定压力的时间。

18.如权利要求16所述的设备，其中该指示物为膜层厚度均匀性。