[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光元件，是在基板上至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，是在基板上至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述金属膜层和所述镀覆金属板以俯视交叉状态形成于所述p型半导体层上。

3.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，形成于所述p型半导体层上的所述金属膜层和镀覆金属板的面积，按相对于所述p型半导体层上表面的面积比计，为10～90％的范围内。

4.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，形成于所述基板上的所述n型半导体层、发光层和p型半导体层预先被分割成元件单元。

5.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，在所述p型半导体层上具有透明电极。

6.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述金属膜层包括欧姆接触层。

7.根据权利要求6所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述欧姆接触层包含Pt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Ag的单质金属和/或它们的合金。

8.根据权利要求6所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述欧姆接触层的膜厚为0.1nm～30nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述镀覆金属板的膜厚为10μm～200μm的范围内。

10.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述镀覆金属板包含NiP合金、Cu、或Cu合金。

11.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，在所述金属膜层与所述镀覆金属板之间形成有镀覆粘附层。

12.根据权利要求11所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述镀覆粘附层含有50重量％以上的、与形成所述镀覆金属板的镀层的占50重量％以上的主成分相同的组分。

13.根据权利要求11或12所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述镀覆粘附层包含NiP合金或Cu合金。

14.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层。

15.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，形成于所述p型半导体层上的所述金属膜层和所述镀覆金属板以俯视交叉状态设置，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上设置有所述透光性物质层。

16.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述透光性物质层层叠在所述p型半导体层上，所述透光性物质层至少被所述金属膜层和镀覆金属板部分地包围着。

17.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述透光性物质层通过透明电极层叠在p型半导体层上，所述透光性物质层至少被所述金属膜层和镀覆金属板部分地包围着。

18.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述透光性物质层含有透光性树脂、二氧化硅系物质或二氧化钛系物质的任一种。

19.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述透光性物质层的折射率为1.4～2.6的范围内。

20.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述透光性物质层的膜厚为10μm～200μm的范围内。

21.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，形成于所述基板上的n型半导体层、发光层、p型半导体层预先被分割成元件单元。

22.根据权利要求14所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述金属膜层包括欧姆接触层。