[发明专利]用于处理隔离的衬底边缘区域的方法和设备

权利要求书

1、一种衬底边缘处理设备，包括：

卡盘，用于夹持衬底；

隔离部构件，包括喷嘴歧管和排气压力通风部，其中，所述喷嘴歧管覆盖所述衬底边缘的一部分，所述排气压力通风部远离所述衬底而延伸；

在所述喷嘴歧管中的一个或多个槽，所述一个或多个槽从衬底的边缘处或其邻近处，然后在所述衬底的近边缘表面之上并跨越该表面延伸至所述衬底的边缘处或其邻近处，从而形成用于将活性反应组分的流动限制在所述衬底的近边缘的通风部；

设置在所述喷嘴歧管中的一个或多个喷嘴，其中所述一个或多个喷嘴中的至少一个喷嘴以介于垂直和平行于所述卡盘的顶表面之间的角度设置在所述隔离部中。

2、一种衬底边缘处理设备，包括：

处理腔，其保持大致为大气压的压力，用于容纳和处理衬底；

卡盘，其处于所述处理腔内，用于支持和转动所述衬底；

壳体，其至少部分地处于所述处理腔内，并具有排气部分和用于隔离所述衬底表面的一部分的隔离部部分，其中所述壳体的排气部分远离所述衬底的表面而延伸；

至少一个气体压力通风部，其设置在所述隔离部部分中，并开口朝向所述衬底的表面，用于防止活性反应组分移出所述壳体；

惰性气体管线，其与所述至少一个气体压力通风部连通，用于供应惰性气体；和

多个喷嘴，其设置在隔离部部分中，介于所述气体压力通风部与排气压力通风部之间，其中至少一个喷嘴以小于垂直于所述衬底表面、且大于平行于所述衬底表面的角度指向衬底的表面。

3、一种衬底晶片边缘处理方法，用于隔离和处理晶片的待处理部分，其中，所述待处理部分从所述晶片的边缘越过晶片的顶表面延伸至所述晶片的边缘，所述方法包括：

在所述晶片的待处理部分与所述晶片的其余部分之间形成正压差障垒；和

将活性反应组分以大于平行于晶片的顶表面、且小于垂直于晶片的顶表面的角度导向所述晶片的待处理部分。

4、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，进一步包括在卡盘上转动所述晶片。

5、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，进一步包括在所述待处理部分的边缘处或其邻近处提供一个或多个压力通风部，用于接收气流并在所述晶片的待处理部分与其余部分之间形成压力障垒。

6、根据权利要求5所述的衬底晶片边缘处理方法，进一步包括使惰性气体流入所述一个或多个压力通风部。

7、根据权利要求6所述的方法，其中所述惰性气体为氩气。

8、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中所述方法在大致为大气压的压力下进行。

9、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中在将燃烧火焰引导至所述衬底的表面上之前，将所述衬底的表面预热。

10、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中在燃烧火焰将被导至的位置附近预热所述衬底的表面。

11、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中所述方法在基本上非电离的环境中进行。

12、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中所述活性反应组分通过氢和三氟化氮的燃烧火焰形成。

13、根据权利要求12所述的方法，其中所述氢与所述三氟化氮的摩尔比为3∶2。

14、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中所述活性反应组分通过燃烧火焰形成，所述燃烧火焰被导向晶片的边缘区域。

15、根据权利要求14所述的方法，其中转动所述晶片，其中所述晶片的表面的边缘部分被蚀刻。

16、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中被处理的材料为SiO₂。

17、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中被蚀刻的材料为Si。

18、根据权利要求3所述的衬底晶片边缘处理方法，其中被蚀刻的材料为Ta。

19、一种根据权利要求3所述方法处理的衬底晶片。