[发明专利]具有灰度的光掩模及其制造方法无效
申请号: | 200680034585.2 | 申请日: | 2006-09-19 |
公开(公告)号: | CN101268417A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 藤川润二;岛田周;吉田雄一;佐佐木志保;天野刚;伊藤公夫;登山伸人;毛利弘 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 灰度 光掩模 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有灰度的光掩模,在透明基板上具有所希望的图案,且形成所述图案的膜由实质上不能透过曝光光的遮光膜、和以所希望的透射率透过所述曝光光的半透明膜构成,在所述透明基板上混在按顺序层叠所述遮光膜和所述半透明膜而存在的遮光区域、只有所述半透明膜存在的半透明区域、及所述遮光膜和所述半透明膜都不存在的透射区域,其特征在于,
所述半透明膜相对于所述曝光光具有防反射功能。
2.如权利要求1所述的具有灰度的光掩模,其特征在于,
只有所述半透明膜存在的半透明区域的相对于所述曝光光的透射率在15%~85%的范围内。
3.如权利要求1或2所述的具有灰度的光掩模,其特征在于,
按顺序层叠所述遮光膜和所述半透明膜而存在的遮光区域的相对于所述曝光光的反射率小于30%。
4.如权利要求1~3中任一项所述的具有灰度的光掩模,其特征在于,
所述半透明膜相对于g线、h线、i线、KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光中至少一个所具有的波长,具有防反射功能。
5.如权利要求1~4中任一项所述的具有灰度的光掩模,其特征在于,
所述遮光膜和所述半透明膜都以铬为主成分。
6.如权利要求5所述的具有灰度的光掩模,其特征在于,
所述遮光膜由铬或氮化铬构成,所述半透明膜由氧化铬或氮氧化铬构成。
7.一种具有灰度的光掩模的制作方法,所述具有灰度的光掩模在透明基板上具有所希望的图案,且形成所述图案的膜由实质上不能透过曝光光的遮光膜、和以所希望的透射率透过所述曝光光的半透明膜构成,该具有灰度的光掩模的制作方法的特征在于,
按顺序包括:
准备在所述透明基板上成膜了所述遮光膜的掩模坯料的工序;
构图所述遮光膜的工序;
在设有所述构图后的遮光膜的所述透明基板上,全面成膜相对于所述曝光光具有防反射功能的半透明膜的工序;
构图具有所述防反射功能的半透明膜的工序。
8.一种具有灰度的光掩模的制作方法,所述具有灰度的光掩模在透明基板上具有所希望的图案,且形成所述图案的膜由实质上不能透过曝光光的遮光膜、和以所希望的透射率透过所述曝光光的半透明膜构成,该具有灰度的光掩模的制作方法的特征在于,
按顺序包括:
准备在所述透明基板上具有遮光膜和低反射膜的两层膜的掩模坯料的工序;
通过蚀刻除去所述低反射膜而露出所述遮光膜的工序;
构图所述遮光膜的工序;
在设有所述构图后的遮光膜的所述透明基板上,全面成膜具有防反射功能的半透明膜的工序;
构图具有所述防反射功能的半透明膜的工序。
9.如权利要求7或8所述的具有灰度的光掩模的制作方法,其特征在于,包括:
在构图具有所述防反射功能的半透明膜的工序之后,再次构图露出的所述遮光膜的工序。
10.如权利要求7~9中任一项所述的具有灰度的光掩模的制作方法,其特征在于,
在构图所述遮光膜的工序之后,进行所述遮光膜的掩模图案检查工序、及根据需要进行的修正工序。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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