[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体发光器件，包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜，在所述发光器件的表面的不形成电极的区域处在所述III族氮化物半导体层上形成沟槽，并且所述沟槽的侧面的法线不垂直于所述衬底的主表面的法线，跨过所述沟槽形成具有相同极性的电极，并在该电极的外侧形成极性与具有相同极性且跨过所述沟槽形成的电极的极性相反的电极，从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向在所述III族氮化物半导体层内存在有位错密度的分布。

2.根据权利要求1的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的截面如此倾斜，以便朝向所述衬底变窄。

3.根据权利要求2的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的侧面的法线与所述衬底的主表面的法线所成的角度θ1大于等于100度且小于等于175度。

4.根据权利要求3的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的侧面的法线与所述衬底的主表面的法线所成的角度θ1大于等于110度且小于等于170度。

5.根据权利要求4的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的侧面的法线与所述衬底的主表面的法线所成的角度θ1大于等于120度且小于等于160度。

6.根据权利要求2的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层中的位错密度从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向减小。

7.根据权利要求6的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层中的位错密度在垂直于所述衬底的方向上以每1.0μm的厚度为10cm^-2至10000cm^-2的比率从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向减小。

8.根据权利要求7的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层中的位错密度在垂直于所述衬底的方向上以每1.0μm的厚度为100cm^-2至1000cm^-2的比率从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向减小。

9.根据权利要求1的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的截面如此倾斜，以便朝向所述衬底变宽。

10.根据权利要求9的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的侧面的法线与所述衬底的主表面的法线所成的角度θ2大于等于5度且小于等于80度。

11.根据权利要求10的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的侧面的法线与所述衬底的主表面的法线所成的角度θ2大于等于10度且小于等于70度。

12.根据权利要求11的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层的侧面的法线与所述衬底的主表面的法线所成的角度θ2大于等于20度且小于等于60度。

13.根据权利要求9的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层中的位错密度从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向增大。

14.根据权利要求13的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层中的位错密度在垂直于所述衬底的方向上以每1.0μm的厚度为10cm^-2至10,000cm^-2的比率从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向增大。

15.根据权利要求14的III族氮化物半导体发光器件，其中所述III族氮化物半导体层中的位错密度在垂直于所述衬底的方向上以每1.0μm的厚度为100cm^-2至1,000cm^-2的比率从所述衬底朝向所述半导体层的生长方向增大。

16.根据权利要求1的III族氮化物半导体发光器件，其中在大于等于两个位置处形成所述沟槽。

17.根据权利要求1的III族氮化物半导体发光器件，其中所述沟槽具有贯穿所述发光层的深度。