[发明专利]中子极化装置无效

专利信息
申请号: 200680034701.0 申请日: 2006-11-01
公开(公告)号: CN101379567A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 清水裕彦;铃木淳市;奥隆之 申请(专利权)人: 独立行政法人理化学研究所
主分类号: G21K1/00 分类号: G21K1/00;H05H3/06;G21K1/093
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭放
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 中子 极化 装置
【权利要求书】:

1.一种中子极化装置,是用于通过使中子入射,利用中子的自旋和磁场的相互作用得到极化了的中子束的中子极化装置,其特征在于具备:

配置在中子束的通路的周围的四极磁铁;

在四极磁铁的内部沿着中子的轴方向设置的筒形的中子吸收部件;

配置在四极磁铁的出口,从四极磁铁产生的四极磁场隔热地连接磁场,并且施加二极磁场的螺线管线圈。

2.根据权利要求1所述的中子极化装置,其特征在于:四极磁铁是4部分型磁铁。

3.根据权利要求1所述的中子极化装置,其特征在于:四极磁铁是Halbach型磁铁。

4.根据权利要求1所述的中子极化装置,其特征在于:四极磁铁是发展型Halbach型磁铁。

5.根据权利要求1至4的任意一项所述的中子极化装置,其特征在于:中子吸收部件由Cd组成。

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