[发明专利]减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计

权利要求书

1.一种成像器，其包括：

半导体衬底，其具有第一表面和第二表面；以及

像素传感器单元阵列，其包括形成于所述衬底的所述第一表面处的多个像素单元，所述像素单元包括成像像素单元和暗电流像素单元；

其中在所述第二表面中形成有表面磨蚀，以用于减少从所述第二表面反射回所述暗电流像素单元的光的量。

2.根据权利要求1所述的成像器，其中所述表面磨蚀包含垂直粗糙化。

3.根据权利要求1所述的成像器，其中所述表面磨蚀包含形成于所述第二表面中的成形光栅。

4.根据权利要求3所述的成像器，其中所述成形光栅以与所述第二表面成从10度到75度的角度形成。

5.根据权利要求3所述的成像器，其中所述成形光栅以与所述第二表面成从20度到55度的角度形成。

6.一种处理器系统，其包括：

半导体衬底，其具有第一表面和第二表面；

像素传感器单元阵列，其包括形成于所述衬底的所述第一表面处的多个像素单元，所述像素单元包含成像像素单元和暗电流像素单元；

其中在所述第二表面中形成有表面磨蚀，以用于减少从所述第二表面反射回所述暗电流像素单元的光的量；以及

处理器，其用于接收并处理表示图像的数据。

7.根据权利要求6所述的处理器系统，其中所述阵列和所述处理器形成于单个衬底上。

8.根据权利要求6所述的处理器系统，其中所述表面磨蚀包含垂直粗糙化。

9.根据权利要求6所述的处理器系统，其中所述表面磨蚀包含形成于所述第二表面中的成形光栅。

10.根据权利要求9所述的处理器系统，其中所述成形光栅以与所述第二表面成从10度到75度的角度形成。

11.根据权利要求9所述的处理器系统，其中所述成形光栅以与所述第二表面成从35度到45度的角度形成。

12.一种减少成像装置中图像伪影的方法，所述方法包含以下步骤：

使穿透所述成像装置的衬底并反射到所述成像装置中的暗像素的红外辐射的量最小化，以减少所述成像器中的图像伪影；

其中通过提供具有第一表面和第二表面的衬底来使红外辐射最小化，所述衬底具有像素传感器单元阵列，所述像素传感器单元阵列包括形成于所述衬底的所述第一表面处的多个像素单元；

其中在所述第二表面中形成有表面磨蚀。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述表面磨蚀包含垂直粗糙化。

14.根据权利要求13所述的方法，其中通过CMP来形成所述表面磨蚀。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述表面磨蚀包含形成于所述第二表面中的成形光栅。