[发明专利]具有改进的微粒性能的主动加热铝挡板部件及其应用和制造方法有效
申请号: | 200680034900.1 | 申请日: | 2006-09-11 |
公开(公告)号: | CN101268544A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 施洪;G·格兰特·彭;任大兴 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;C25D5/44;C23C16/455;C25D5/00;C23C16/50;C23C16/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 微粒 性能 主动 加热 挡板 部件 及其 应用 制造 方法 | ||
1.一种等离子处理室的主动加热铝挡板部件,所述铝挡板部件具 有暴露的外部氧化铝层,其中所述外部氧化铝层由电解抛光过 程形成。
2.根据权利要求1所述的部件,其中所述外部氧化铝层包括在所 述铝挡板部件上的不可剥离层。
3.根据权利要求1所述的部件,其中所述外部氧化铝层具有0.5 微米的最大厚度。
4.根据权利要求1所述的部件,其中所述部件包括挡板环。
5.根据权利要求1所述的部件,其中所述部件包括热控制板。
6.根据权利要求1所述的部件,其中所述部件由铝合金制成。
7.根据权利要求1所述的部件,其中所述部件由Al6061-T6制 成。
8.根据权利要求1所述的部件,其中所述部件是新的或用过的。
9.一种在等离子蚀刻室中安装根据权利要求1所述的部件的方 法,其中,从喷头电极组件去除使用过的挡板部件,清洗和电 解抛光所述部件以形成所述电解抛光层,并将电解抛光后的所 述部件安装在所述喷头电极组件中,或者用具有由电解抛光形 成的外部氧化铝层的新的挡板部件替换所述使用过的挡板部 件。
10.一种制造等离子处理室的主动加热铝挡板部件的方法,所述方 法包括在铝部件上形成暴露的外部氧化铝层,其中所述外部氧 化铝层通过电解抛光形成,使得与由在其上具有类型III阳极 氧化层的相同形状的铝部件所生成的缺陷和微粒相比,由于所 述铝部件和外部氧化铝层在等离子处理过程中经历的有区别 的热应力所产生的缺陷和微粒减少。
11.根据权利要求10所述的方法,其中导致减少的缺陷和微粒的 所述外部氧化铝层包括在所述铝部件上的不可剥离层。
12.根据权利要求10所述的方法,其中导致减少的缺陷和微粒的 所述外部氧化铝层具有0.5微米的最大厚度。
13.根据权利要求10所述的方法,其中导致减少的缺陷和微粒的 所述外部氧化铝层包括邻接所述铝部件的、具有最大厚度为 0.1微米的无孔层。
14.根据权利要求10所述的方法,其中导致减少的缺陷和微粒的 所述外部氧化铝层被形成在使用过的铝部件上。
15.根据权利要求10所述的方法,其中所述铝部件包括挡板环。
16.根据权利要求10所述的方法,其中所述铝部件包括热控制板。
17.根据权利要求10所述的方法,其中所述铝包括铝合金。
18.根据权利要求10所述的方法,其中所述铝包括Al6061-T6。
19.根据权利要求10所述的方法,其中所述铝部件是新的或者使 用过的。
20.根据权利要求10所述的方法,其中将所述铝部件机械加工为 需要的结构、清洗并电解抛光以形成所述氧化层。
21.一种等离子处理装置,包括:
等离子处理室;以及
根据权利要求1所述的铝挡板部件。
22.根据权利要求21所述的等离子处理装置,其中所述等离子处 理装置包括等离子蚀刻室,所述等离子蚀刻室具有顶部喷头电 极和底部电极,所述喷头电极包括具有主动加热热控制板的喷 头电极组件部分。
23.根据权利要求22所述的等离子处理装置,其中所述铝挡板部 件包括所述热控制板。
24.根据权利要求22所述的等离子处理装置,其中所述铝挡板部 件包括位于所述热控制板和所述顶部电极之间的空间内的挡 板环。
25.一种等离子处理方法,所述方法包括在根据权利要求21所述 的等离子处理装置中处理半导体基片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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