[发明专利]用于铁电薄膜装置的钝化结构

权利要求书

1.一种铁电薄膜装置，所述装置包括：

衬底；

第一电极，其集成在所述衬底上；

铁电薄膜介电层，其接触所述第一电极；

第二电极，其接触所述介电层；

第一钝化层，其上覆于所述第一电极、所述介电层和所述第二电极上，其中所述第一钝化层进一步包括沿着所述第一电极与所述第二电极之间的路径暴露所述介电层的一部分的开口，所述路径沿着所述介电层的表面延伸；以及

第二钝化层，其通过所述开口接触所述介电层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述铁电薄膜介电层包括选自由以下各项组成的群组的材料中的至少一者：钛酸钡(BT)、钛酸锶(ST)和钛酸钡锶(BST)。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一钝化层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一钝化层包括二氧化硅或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二钝化层包括聚酰亚胺或双苯并环丁烯。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电极包括铂。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二电极包括铂。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包括电容器。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述开口包括围绕所述装置的有源区的环。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述环的形状包括矩形。

11.根据权利要求8所述的装置，其中所述开口仅部分围绕所述装置的有源区。

12.根据权利要求8所述的装置，其中所述开口还暴露所述第二电极的一部分。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述第二钝化层还接触通过所述开口暴露的所述第二电极。

14.根据权利要求8所述的装置，其中所述电容器包括平行板电容器，其中所述铁电薄膜介电层夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包括电阻器，其中通过所述电阻器的电流主要在所述介电层与所述第一钝化层之间的界面处流动。

16.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置包括与集成电阻器并联耦合的电容器，其中通过所述电阻器的电流主要在所述介电层与所述第一钝化层之间的界面处流动。

17.一种铁电平行板电容器，其包括：

第一电极；

介电层，其上覆于所述第一电极的一部分上；

第二电极，其上覆于所述介电层的一部分上；

第一钝化层，其上覆于所述第一电极、所述介电层和所述第二电极上，其中所述第一钝化层进一步包括沿着所述第一电极与所述第二电极之间的路径暴露所述介电层的一部分的开口，所述路径沿着所述介电层的表面延伸；以及

第一钝化层，其通过所述开口接触所述介电层。

18.根据权利要求17所述的电容器，其中所述介电层包括选自由以下各项组成的群组的材料中的至少一者：钛酸钡(BT)、钛酸锶(ST)和钛酸钡锶(BST)。

19.根据权利要求17所述的电容器，其中所述第一钝化层包括氮化硅。

20.根据权利要求17所述的电容器，其中所述第一钝化层包括二氧化硅或氧化铝。

21.根据权利要求17所述的电容器，其中所述第二钝化层包括聚酰亚胺或双苯并环丁烯。

22.根据权利要求17所述的电容器，其中所述第一电极包括铂。

23.根据权利要求17所述的电容器，其中所述第二电极包括铂。

24.根据权利要求17所述的电容器，其中所述开口包括围绕所述电容器的有源区的环。

25.根据权利要求24所述的电容器，其中所述环的形状包括矩形。

26.根据权利要求17所述的电容器，其中所述开口仅部分围绕所述电容器的有源区。

27.根据权利要求17所述的电容器，其中所述开口还暴露所述第二电极的一部分。