[发明专利]辐射传感器器件和方法

权利要求书

1.一种辐射传感器器件，包括：

集成电路芯片，其包括位于所述集成电路芯片的表面上的集成辐射传感器；和

附着至所述集成电路芯片并且间隔开地覆盖所述辐射传感器的盖帽，所述盖帽和所述集成电路芯片中的至少一个具有靠近所述辐射传感器且对于要被感测的辐射而言是透明的至少一部分。

2.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述辐射传感器位于所述集成电路芯片的活性表面上并且所述盖帽包括辐射透明部分。

3.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述辐射传感器位于所述集成电路芯片的非活性表面上并且所述集成电路包括辐射透明部分。

4.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述集成电路芯片包括位于其活性表面上的焊料凸块连接件。

5.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述集成电路芯片包括位于其非活性表面上的焊料凸块连接件。

6.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述盖帽和具有所述辐射传感器的所述集成电路芯片布置于封装物中，并且非活性表面在所述封装物的边界处暴露。

7.根据权利要求6的辐射传感器器件，其中所述集成电路的靠近所述辐射传感器的所述至少一部分对于将要感测的辐射而言是透明的。

8.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述盖帽和具有所述辐射传感器的所述集成电路芯片布置于封装物中，并且盖帽在所述封装物的边界处暴露。

9.根据权利要求8的辐射传感器器件，其中所述盖帽的靠近所述辐射传感器的至少一部分对于将要感测的辐射而言是透明的。

10.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述盖帽和具有所述辐射传感器的所述集成电路芯片连同引线框架一起布置于封装物中。

11.根据权利要求10的辐射传感器器件，其中所述引线框架包括暴露的桨状物。

12.根据权利要求10的辐射传感器器件，其中所述引线框架包括隐藏的桨状物。

13.根据权利要求10的辐射传感器器件，其中所述集成电路芯片是附接至所述引线框架的倒装芯片。

14.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述盖帽和具有所述辐射传感器的所述集成电路芯片布置于封装物中。

15.根据权利要求14的辐射传感器器件，其中所述封装物包括凹槽。

16.根据权利要求15的辐射传感器器件，其中所述盖帽在所述凹槽中暴露。

17.根据权利要求15的辐射传感器器件，其中所述集成电路芯片在所述凹槽中暴露。

18.根据权利要求1的辐射传感器器件，还包括具有基座的预模制封装物，所述基座用于支撑所述盖帽和具有所述辐射传感器的所述集成电路芯片。

19.根据权利要求18的辐射传感器器件，还包括填充封装物直到所述盖帽并且没有覆盖所述盖帽的所述预模制封装物。

20.根据权利要求18的辐射传感器器件，其中所述预模制封装物包括在所述盖帽上方的盖，所述盖具有对于将要感测的辐射而言是透明的至少一部分。

21.根据权利要求8的辐射传感器器件，其中所述传感器是红外辐射传感器。

22.根据权利要求21的辐射传感器器件，其中所述透明部分对于红外辐射是透明的。

23.根据权利要求1的辐射传感器器件，其中所述盖帽在所述辐射传感器处提供真空。

24.根据权利要求2的辐射传感器器件，其中所述盖帽包括透镜。

25.根据权利要求14的辐射传感器器件，其中所述封装物包括塑料。

26.根据权利要求14的辐射传感器器件，其中所述封装物包括环氧树脂。