[发明专利]具有有源后失真线性化的放大器

权利要求书

1、一种集成电路，其包含：

第一晶体管，其电耦合到电感器且操作以接收并放大输入信号；

第二晶体管，其电耦合到所述第一晶体管且操作以产生中间信号并提供输出信号；及

第三晶体管，其电耦合到所述第二晶体管且操作以接收所述中间信号并产生用于消除所述第一晶体管产生的失真分量的失真分量。

2、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一与第二晶体管耦合为栅地-阴地放大器对。

3、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第三晶体管操作以产生用于消除所述第一晶体管产生的第三阶失真分量的失真分量。

4、如权利要求1所述的集成电路，其进一步包含：

第四晶体管，其电耦合到所述第二及第三晶体管且操作以提供负载隔离。

5、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第三晶体管具有电耦合到所述第二晶体管的漏极的漏极。

6、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第三晶体管具有电耦合到所述第一晶体管的漏极的漏极。

7、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一、第二及第三晶体管分别具有第一、第二及第三增益，其中所述第一及第二增益通过第一因数相关，且其中所述第一及第三增益通过第二因数相关。

8、如权利要求7所述的集成电路，其中所述第二因数经选择以减小增益损失，且其中所述第一因数经选择以消除所述第一晶体管产生的所述失真分量。

9、如权利要求7所述的集成电路，其中所述第二因数大于1，且其中所述第三增益为所述第一增益的一分数。

10、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一、第二及第三晶体管为N沟道场效晶体管(N-FET)。

11、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一、第二及第三晶体管为P沟道场效晶体管(P-FET)。

12、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一、第二及第三晶体管为双极结型晶体管(BJT)。

13、如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一、第二及第三晶体管形成低噪声放大器(LNA)。

14、如权利要求1所述的集成电路，其进一步包含：

增益控制电路，其电耦合到所述第一及第二晶体管且操作以为所述第一、第二及第三晶体管形成的放大器提供增益控制。

15、如权利要求14所述的集成电路，其中所述增益控制电路包含第四晶体管，其电耦合到所述第一晶体管；及

电容器，其电耦合于所述第四晶体管与所述第二晶体管之间。

16、如权利要求14的集成电路，其中所述增益控制电路包含第四晶体管，其电耦合到所述第一晶体管；及

至少一个电阻器，其电耦合于所述第四晶体管与所述第二晶体管之间。

17、如权利要求1所述的集成电路，其中所述输入信号为码分多址(CDMA)信号。

18、一种放大器，其包含：

电感器，其操作以提供源极退化；

第一晶体管，其具有电耦合到所述电感器的源极及接收输入信号的栅极，所述第一晶体管操作以提供信号放大；

第二晶体管，其具有提供输出信号的漏极及电耦合到所述第一晶体管的漏极的源极，所述第二晶体管操作以产生中间信号；及

第三晶体管，其具有电耦合到所述第二晶体管的所述源极的栅极，所述第三晶体管操作以接收所述中间信号且产生用于消除所述第一晶体管产生的失真分量的失真分量。

19、如权利要求18所述的放大器，其进一步包含：

第四晶体管，其具有电耦合到所述第三晶体管的漏极的源极及电耦合到所述第二晶体管的所述漏极的漏极。

20、一种设备，其包含：

放大装置，其用于放大输入信号以产生具有所需分量及失真分量的第一信号；

产生装置，其用于产生具有用于消除所述放大装置产生的所述失真分量的失真分量的第二信号；及

组合装置，其用于组合所述第一及第二信号以产生已消除了所述放大装置产生的所述失真分量的输出信号。