[发明专利]有直接接触散热片的微电子封装及其制造方法无效
申请号: | 200680035208.0 | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN101273451A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | C·胡;D·陆;G·范登托普;S·拉玛纳杉;R·巴斯卡兰;V·杜宾 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 接触 散热片 微电子 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种微电子封装的制造方法,包括:
提供有有源表面和背侧的管芯;
在所述管芯的有源表面上将所述管芯接合到基板的管芯侧;
对所述管芯背侧进行金属化,以形成直接接触且固定于所述管芯背侧的散热片主体。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接合在金属化前进行。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接合在金属化后进行。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述金属化在将所述管芯从相应晶片分离出来前进行。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化包括无电镀、电解电镀、电镀接合、溅射、化学气相沉积和蒸发中的至少一种方法。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化包括的电镀,所述电镀包括:
在所述管芯背侧提供导电种子层;
在种子层之上提供电镀层以形成散热片主体。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述提供导电种子层包括在所述管芯背侧无电镀和溅射种子层。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化包括使用铜、铜合金、铜层叠薄片、铜复合材料、铝和铝合金中的至少一种的金属化。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属化包括使用包含金属和比所述金属热导率高的颗粒的金属复合材料。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述颗粒包括金刚石颗粒。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在所述基板的焊区侧上提供保护掩模以在金属化过程中保护基板的焊区侧。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括将至少一个表面安装组件接合到所述基板的焊区侧上。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述提供保护掩模包括在所述至少一个表面安装组件的背侧上提供保护掩模以在金属化过程中保护所述至少一个表面安装组件的背侧。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接合包括:
在所述管芯的有源表面和所述基板的管芯侧之间形成焊接点;以及
在所述管芯的有源表面和所述基板的管芯侧之间的缝隙里形成密封和底充胶中的至少一种。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,还包括在所述金属化前使所述管芯背侧平坦化。
16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述散热片主体包含微沟渠结构,所述方法还包括在所述微沟渠结构上提供覆盖片。
17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括使用热界面材料将热沉附连到散热片主体上。
18.一种微电子封装,包括:
基板;
有有源表面和背侧且以所述有源表面接合到所述基板的管芯;
直接接触并固定于所述管芯背侧的散热片主体。
19.如权利要求18所述的封装,其特征在于,所述基板包括硅且其中在室温下硅中的残余应力低于约50MPa。
20.如权利要求18所述的封装,其特征在于,在所述散热片主体与所述管芯背侧相邻的区域的散热片主体金属的晶粒边界和晶向与散热片主体在其他区域的金属的晶粒边界和晶向不同。
21.如权利要求18所述的封装,其特征在于,还包括布置在所述管芯的有源表面和所述基板的管芯侧之间的焊接点和密封和底充胶中的至少一个以将所述管芯接合到所述基板上。
22.如权利要求18所述的封装,其特征在于,所述散热片主体由包含铜、铜合金、铜层叠薄片、铜复合材料、铝和铝合金中的至少一种的材料组成。
23.如权利要求18所述的封装,其特征在于,所述散热片主体包含金属复合材料,所述金属复合材料包括金属和比金属热导率高的颗粒。
24.如权利要求18所述的封装,其特征在于,所述散热片主体包含微沟渠结构,所述封装还包含附连到所述微沟渠结构上的覆盖片。
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