[发明专利]可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其包括：

衬底；

第一电极，其形成在所述衬底上，所述第一电极的第一端大于所述第一电极的第二端；

第二电极；以及

电阻可变绝缘层，其在所述第一与第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层是氧化物层。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一电极具有锥状形状。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一电极选自由铂、钛、金和SrRuO₃组成的群组。

5.根据权利要求3所述的存储器元件，其中所述第一电极是SrRuO₃。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第二电极选自由铂、钛、金和SrRuO₃组成的群组。

7.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层选自由PCMO薄膜、钙钛矿结构和氧化膜组成的群组。

8.根据权利要求6所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层选自由Pr_0.7Cr_0.3MoO₃、Nb₂O₅、TiO₂、TaO₅和NiO组成的群组。

9.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层是掺杂或未掺杂BaTiO₃、SrTiO₃或SrZrO₃。

10.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述存储器元件是电阻可变存储器装置。

11.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一与第二电极之间的所述电阻可变绝缘层在所述第二电极形成之前被平坦化。

12.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第二电极形成在沉积态电阻可变绝缘层上。

13.根据权利要求1所述的存储器元件，其进一步包括形成在所述衬底与所述第一电极之间的导电插塞。

14.一种存储器元件，其包括：

衬底；

介电层，其形成在所述衬底上，所述介电层中形成有从所述介电层的上表面到所述衬底的开口；

第一电极，其形成在所述衬底上且在所述介电层中的所述孔中，所述第一电极具有锥状结构；

电阻可变绝缘层，其形成在所述第一电极上所述介电层中的所述开口中；以及

第二电极，其形成在所述电阻可变绝缘层上。

15.根据权利要求14所述的存储器元件，其中所述第一电极选自由铂、钛、金和SrRuO₃组成的群组。

16.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述第一电极是SrRuO₃。

17.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述第二电极选自由铂、钛、金和SrRuO₃组成的群组。

18.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层选自由PCMO薄膜、钙钛矿结构和氧化膜组成的群组。

19.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层是掺杂或未掺杂BaTiO₃、SrTiO₃或SrZrO₃。

20.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层选自由Pr_0.7Cr_0.3MoO₃、Nb₂O₅、TiO₂、TaO₅和NiO组成的群组。

21.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层形成在所述介电层上。