[发明专利]位置传感器的不对称AMR惠斯通电桥布局有效

专利信息
申请号: 200680035240.9 申请日: 2006-07-19
公开(公告)号: CN101273247A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: N·F·布施 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01D5/16 分类号: G01D5/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;王小衡
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 位置 传感器 不对称 amr 斯通 电桥 布局
【权利要求书】:

1.一种磁性传感器,包括:

设置在目标附近的磁体,所述目标包括多个齿和在它们之间形成的多个槽;

集成电路,设置在所述磁体的侧边,其中所述集成电路包括多个不对称布置的磁阻桥组件,其中所述集成电路和所述磁体被配置到传感器包装件中,以使所述多个不对称布置的磁阻桥组件实现对所述目标的所述多个齿之中的至少一个齿的检测。

2.如权利要求1所述的传感器,其中所述多个不对称布置的磁阻桥组件包括不对称磁阻桥电路。

3.如权利要求1所述的传感器,其中所述多个不对称布置的磁阻桥组件包括不对称地偏离于第二组磁阻器的第一组磁阻器,其中所述第一和第二组磁阻器被配置在衬底上,在所述衬底上形成有所述集成电路的。

4.如权利要求3所述的传感器,其中所述第一组磁阻器包括与所述第二组磁阻器的布局几何不同的布局几何。

5.如权利要求1所述的传感器,其中所述目标包括铁或非铁目标。

6.如权利要求1所述的传感器,其中所述多个不对称布置的磁阻桥组件包括AMR带。

7.如权利要求1所述的传感器,其中所述多个不对称布置的磁阻桥组件包括不对称地偏离于第二组磁阻组件且设置到第二组磁阻组件附近的第一组磁阻组件。

8.一种磁性传感器,包括:

铁目标;

设置在所述铁目标附近的磁体,其中所述铁目标包括多个齿和在它们之间形成的多个槽;

在衬底上形成的集成电路,其中所述集成电路被设置在所述磁体的侧边,其中所述集成电路包括多个不对称布置的磁阻桥组件,其中所述集成电路和所述磁体被配置到传感器包装件中,以使所述多个不对称布置的磁阻桥组件实现对所述铁目标的所述多个齿之中的至少一个齿的检测;并且

其中所述多个不对称布置的磁阻桥组件包括不对称地偏离于第二组磁阻器的第一组磁阻器,其中所述第一和第二组磁阻器被配置在所述衬底上,在所述衬底上形成有所述集成电路。

9.如权利要求8所述的系统,其中所述多个不对称布置的磁阻桥组件包括不对称磁阻桥电路。

10.一种磁性感测方法,包括:

把磁体定位在目标附近,所述目标包括多个齿和在它们之间形成的多个槽;以及

把集成电路放置在所述磁体的侧边,其中所述集成电路包括多个不对称布置的磁阻桥组件,其中所述集成电路和所述磁体被配置到传感器包装件中,以使所述多个不对称布置的磁阻桥组件实现对所述目标的所述多个齿之中的至少一个齿的检测。

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