[发明专利]在应变硅层中具有提高的结晶度的应变绝缘体上硅（SSOI）结构

权利要求书

1.一种用于制备应变绝缘体上硅结构的方法，该结构包含操作晶片、应变硅层和位于该操作晶片和应变硅层之间的介电层，该方法包括在一定温度下对该应变绝缘体上硅结构退火一段时间，以便应变硅层的结晶度与操作晶片的结晶度相差小于大约10％。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在施主晶片的表面上形成松弛含硅层；

在该松弛含硅层上形成应变硅层；

在该操作晶片的表面上形成介电层；

将该施主晶片的应变硅层键合到操作晶片的介电层以形成键合晶片，其中在该应变硅层和介电层之间形成键合界面；

沿该松弛含硅层内的分离平面分离该键合晶片，从而所述操作晶片上的应变硅层在表面上具有残余松弛含硅层；以及

蚀刻该残余松弛含硅层以便从该应变硅层基本除去所述残余松弛含硅层。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述应变硅层的厚度为至少大约1nm。

4.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述应变硅层的厚度为大约10nm到大约80nm。

5.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述松弛含硅层包含SiGe。

6.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在氮化和氧化气氛中对所述应变绝缘体上硅结构退火。

7.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在至少大约800℃的温度对所述绝缘体上硅结构退火。

8.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在大约1000℃到大约1175℃的温度对所述绝缘体上硅结构退火。

9.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，对所述绝缘体上硅结构退火至少大约10分钟。

10.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，对所述绝缘体上硅结构退火大约30分钟到大约120分钟。

11.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述操作晶片的直径为至少大约200mm。

12.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述应变硅层的结晶度与操作晶片的结晶度相差小于大约5％。

13.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述应变硅层的应变水平为至少大约0.5％。

14.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述应变硅层的应变水平为至少大约1.0％。

15.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述硅层内的应变保持基本不变。

16.根据权利要求2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述应变硅层在所述退火之后与在所述退火之前的最大吸收峰值相差小于1.5波数。

17.根据权利要求2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述应变硅层在所述退火之后与在所述退火之前的最大吸收峰值相差小于0.5波数。

18.一种应变绝缘体上硅结构，其中该结构是根据权利要求1、2、16或17中任一项的方法形成的。

19.一种应变绝缘体上硅结构，该结构包含操作晶片、应变硅层和位于该操作晶片和应变层之间的氧化物层，所述应变层的结晶度与操作晶片的结晶度相差小于大约10％。

20.根据权利要求19的结构，其特征在于，所述操作晶片的直径为至少大约200mm。

21.根据权利要求19或20的结构，其特征在于，所述应变硅层的结晶度与操作晶片的结晶度相差小于大约5％。

22.根据权利要求19或20的结构，其特征在于，所述应变硅层的应变水平为至少大约0.5％。

23.根据权利要求19或20的结构，其特征在于，所述应变硅层的应变水平为至少大约1.0％。

24.根据权利要求19或20的结构，其特征在于，所述应变硅层的厚度为至少大约1nm。

25.根据权利要求19或20的结构，其特征在于，所述应变硅层的厚度为至少大约10nm到大约80nm。