[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法有效
| 申请号： | 200680035398.6 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101283456A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 山中贞则;上田和正;土田良彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/34;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 发光 器件 | ||
1. 一种III-V族氮化物半导体的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)和(iii)，
(i)在基板上面配置无机粒子的工序；
(ii)使半导体层生长的工序；以及
(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(i)的基板由蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2、CrB2、GaN或AlN构成。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(i)的基板是透光性的。
4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，基板由蓝宝石、GaN或AlN构成。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，无机粒子含有选自氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物以及金属中的至少一种。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，氧化物是选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡以及钇铝石榴石的至少一种。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，氧化物是二氧化硅。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，无机粒子的形状是球状、板状、针状或不定形。
9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，无机粒子的形状是球状。
10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，无机粒子的平均粒径是5nm以上且50μm以下。
11. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，工序(ii)的半导体层由III-V族氮化物构成。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，工序(ii)包括n型层的生长分工序、活性层的生长分工序和p型层的生长分工序。
13. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，生长通过有机金属气相生长、分子射线取向附生或高干燥气相生长来进行。
14. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光是激光。
15. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还使光照射无机粒子。
16. 一种发光器件的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)，
(i)在基板上面配置无机粒子的工序；
(ii)使半导体层生长的工序；
(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板和半导体层分离的工序；以及
(iv)形成电极的工序。
17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于，工序(ii)包括n型层的生长分工序、活性层的生长分工序和p型层的生长分工序。
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