[发明专利]发光元件搭载用陶瓷烧结体

权利要求书

1.发光元件搭载用陶瓷烧结体，其由如下所述的陶瓷烧结体形成：其具有光反射面，该光反射面对250nm～750nm的范围的各波长的光的反射率为70％以上，在将对750nm的光的反射率设为R_A％、对300nm的光的反射率设为R_B％时，成立下式(1)的关系，

|R_A-R_B|≤20(1)

并且，按照基于JIS H8504(1990)的带试验的方法对该光反射面进行带剥离试验时，不具有从该面剥离的层。

2.根据权利要求1所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体，从前述陶瓷烧结体的至少一个面的表面到至少15μm内部的特定区域，具有口径为100nm～2000nm的相互独立的多个空隙，口径不足400nm的空隙数相对于该空隙的总空隙数的比例为30～90％，口径为400nm以上、不足800nm的空隙数相对于该空隙的总空隙数的比例为10～70％。

3.根据权利要求2所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体，前述特定区域的总体积中的前述空隙的总体积的比例为5～30％。

4.根据权利要求2或3所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体，前述特定区域以α-氧化铝为主要成分。

5.根据权利要求2或3所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体，前述特定区域以α-氧化铝为主要成分，前述特定区域以外的部分以氮化铝为主要成分。

6.根据权利要求2或3所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体，前述特定区域形成前述陶瓷烧结体的全体，该特定区域以α-氧化铝为主要成分。

7.根据权利要求1～3任一项所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体的制造方法，该方法包括：准备可与反应性气体反应的原料陶瓷烧结体的工序；使该原料陶瓷烧结体与反应性气体反应而形成前述特定区域的工序，

在前述特定区域中形成口径为100nm～2000nm的相互独立的多个空隙的条件下，进行该原料陶瓷烧结体与反应性气体的反应。

8.根据权利要求5或6所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体的制造方法，该方法包括：准备氮化铝烧结体的工序；使该氮化铝烧结体与氧气反应而形成以α-氧化铝为主要成分的特定区域的工序，

在以α-氧化铝为主要成分的特定区域中形成口径为100nm～2000nm的相互独立的多个空隙的条件下，进行该氮化铝烧结体与氧气的反应。

9.根据权利要求1～6任一项所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体，对250nm～750nm的范围的各波长的光的反射率为75％以上。

10.根据权利要求9所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体的制造方法，该方法包括：准备氮化铝烧结体的工序；加热该氮化铝烧结体的工序，其中，在含氧气且露点调整至0～15℃的范围的气氛下，以1300℃以上的温度加热该氮化铝烧结体，直至从表面起至少15μm以上被氧化成氧化铝，且加热时间为与在该氧气分压为0.21atm时从表面起30μm被氧化成氧化铝的时间相同的时间以上。

11.根据权利要求9所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体的制造方法，该方法包括：准备包含至少一种烧结助剂成分的氮化铝烧结体的工序；加热该氮化铝烧结体的工序，其中，在含氧气且露点为-70℃以下的气氛下，以1300℃以上的温度加热该氮化铝烧结体，直至从表面起至少20μm被氧化成氧化铝。

12.发光元件用陶瓷封装体，其具备组成部件而构成，该组成部件由权利要求1～6、9任一项所述的发光元件搭载用陶瓷烧结体形成。