[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用该荧光体的发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，该荧光体用通式MmAaBbOoNn:Z表示，式中M元素是具有II价的1种以上的元素，A元素是具有III价的1种以上的元素，B元素是具有IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是1种以上的活化剂，其中，a＝(1+x)×m、b＝(4-x)×m、o＝x×m、n＝(7-x)×m、0≤x≤1，在用波长为300nm～500nm范围的光激发时，发光光谱中的峰波长在500nm～620nm的范围。

2.权利要求1所述的荧光体，其中，M元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的1种以上的元素，A元素是选自Al、Ga、In、Sc、La、Y中的1种以上的元素，B元素是Si或Ge，Z元素是选自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的1种以上的元素。

3.权利要求1或2中所述的荧光体，其中，M元素是Sr或Ba，A元素是Al或Ga，B元素是Si，Z元素是Ce和/或Eu。

4.权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，通式表示为MmAaBbOoNn:Zz时，M元素与Z元素的摩尔比z/(m+z)的值为0.0001～0.5。

5.权利要求1～4中任一项所述的荧光体，其中，还含有氯或/和氟。

6.权利要求5所述的荧光体，其中，上述氯或/和氟的含量为0.0001重量％～1.0重量％。

7.权利要求1～6中任一项所述的荧光体，其中，在25℃下，以波长在300nm～500nm范围的规定的单色光作为激发光进行照射时，发光光谱中的最大峰相对强度值为P₂₅，在100℃下，上述规定单色光作为激发光照射时，上述最大峰相对强度值为P₁₀₀时，(P₂₅-P₁₀₀)/P₂₅×100≤20。

8.权利要求1～7中任一项所述的荧光体，其中，包含粒径为50.0μm以下的1次颗粒和该1次颗粒凝集而成的凝集体，含有该1次颗粒和凝集体的荧光体粉末的平均粒径(D50)为1.0μm～50.0μm。

9.一种荧光体，该荧光体由通式(M⁽¹⁾_m(1)M⁽²⁾_m(2)Z_z)A_aB_bO_oN_n表示，式中，M⁽¹⁾元素是具有I价的1种以上的元素，M⁽²⁾元素是具有II价的1种以上的元素，A元素是具有III价的1种以上的元素，B元素是具有IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是选自稀土类元素或过渡金属元素中的1种以上的元素，0.5≤a≤2.0、3.0≤b≤7.0、m⁽¹⁾＞0、m⁽²⁾＞0、z＞0、4.0≤(a+b)≤7.0、m⁽¹⁾+m⁽²⁾+z＝1、0＜o≤4.0、n＝1/3m⁽¹⁾+2/3m⁽²⁾+z+a+4/3b-2/3o，在用波长300nm～500nm范围的光激发时，发光光谱中的峰波长在500nm～600nm的范围。

10.权利要求9所述的荧光体，其中，0＜m⁽¹⁾≤0.05

11.权利要求9或10中所述的荧光体，其中，0.0001≤z≤0.5。

12.权利要求9～11中任一项所述的荧光体，其中，0.8≤a≤2.0、3.0≤b≤6.0、0＜o≤1.0。

13.权利要求9～12中任一项所述的荧光体，其中，0＜o≤1.0、a＝1+o、b＝4-o、n＝7-o。

14.权利要求9～13中任一项所述的荧光体，其中，M⁽¹⁾元素是选自Li、Na、K、Rb中的1种以上的元素，M⁽²⁾元素是选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的1种以上的元素，A元素是选自Al、Ga、In中的1种以上的元素，B元素是Si和/或Ge，Z元素是选自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的1种以上的元素。