[发明专利]发射电磁辐射的光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件，其发射有效辐射，所述光电子器件具有壳和设置在壳中的发光二极管芯片，其特征在于，壳具有对有效辐射可穿透的壳材料，所述壳材料有目的地掺有吸收辐射的颗粒，用于调节所发射的有效辐射的预先给定的辐射强度或者光强。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，吸收辐射的颗粒对有效辐射的全部波长谱都是起吸收作用的。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，吸收辐射的颗粒对于由发光二极管芯片在其工作时所发射的辐射的全部波长谱都是起吸收作用的。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，对有效辐射可穿透的壳材料具有浇铸料或者模塑料。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，对有效辐射可穿透的壳材料具有以下材料中的至少一种：环氧树脂、丙烯酸脂、硅树脂、热塑性塑料和具有上述材料中至少一种的混合材料。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，发光二极管芯片借助对有效辐射可穿透的壳材料来包封或者成型。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，对有效辐射可穿透的壳材料具有至少一种发光材料。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，吸收辐射的颗粒具有碳黑。

9.根据权利要求7所述的光电子器件，其特征在于，碳黑是具有致密的聚集体结构的工业碳黑(LSCB，“低结构碳黑”)。

10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，吸收辐射的颗粒具有小于或者等于100nm的平均的颗粒直径。

11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，吸收辐射的颗粒的吸收系数在有效辐射的整个谱中变化小于10％。

12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，器件具有带有壳体腔的壳基体，在该壳体腔中安装有发光二极管芯片，并且该壳体腔至少部分填充以对有效辐射可穿透的壳材料。

13.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其特征在于，器件具有壳体，并且对有效辐射可穿透的壳材料被施加到壳体的外表面。

14.根据权利要求13所述的光电子器件，其特征在于，对有效辐射可穿透的壳材料以膜的形式被施加到壳体的外表面。

15.一种用于制造发射有效辐射的光电子器件的方法，具有以下步骤：

-提供发光二极管芯片，

-测量由发光二极管芯片发射的辐射强度或者光强，

-提供对有效辐射可穿透的材料，所述材料掺有吸收辐射的颗粒，

-根据测量到的发光二极管芯片的辐射强度或者光强有目的地选择吸收辐射的颗粒在所述材料中的浓度，用于调节器件要达到的辐射强度或者光强，

-将对有效辐射可穿透的材料设置在由发光二极管芯片在其工作时所发射的电磁辐射的光路中。

16.根据权利要求15所述的方法，其中发光二极管芯片通过对有效辐射可穿透的材料包封或者成型。

17.根据权利要求15或者16所述的方法，其中提供对有效辐射可穿透的材料，所述材料除了具有吸收辐射的颗粒之外还具有至少一种发光材料，并且根据所选择的吸收辐射的颗粒的浓度有目的地选择发光材料在所述材料中的浓度，用于调节由器件发射的有效辐射所要达到的色度坐标。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，进一步具有如下的步骤：

-提供具有壳体腔的壳基体，

-将发光二极管芯片安装在壳体腔中，

-用对有效辐射可穿透的材料来至少部分浇注壳体腔。

19.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，其中提供含有发光二极管芯片和具有带有外表面的壳体的器件，其中对有效辐射可穿透的材料被施加到壳体的外表面。

20.根据权利要求19所述的方法，其中对有效辐射可穿透的材料在施加到外表面之前以预制的材料层的形式来提供。

21.根据权利要求19或者20所述的方法，其中对有效辐射可穿透的材料在施加到外表面之前以膜的形式来提供。