[发明专利]用于生长Ⅲ－Ⅴ发光器件的复合主体－晶种衬底

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供衬底，包括：

主体；和

粘结到该主体的晶种层；和

在该衬底上生长半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层；

其中所述晶种层具有的厚度小于半导体结构发生应变松驰的厚度。

2.权利要求1的方法，其中所述衬底进一步包括布置在主体和晶种层之间的粘结层。

3.权利要求2的方法，其中所述粘结层包含硅的氧化物和硅的氮化物中的一种。

4.权利要求2的方法，其中所述主体的热膨胀系数是所述半导体结构中一层的热膨胀系数的至少90％。

5.权利要求1的方法，其中所述晶种层是单晶材料。

6.权利要求1的方法，其中所述晶种层包含Al₂O₃和SiC中的一种。

7.权利要求1的方法，其中所述主体包含Al₂O₃和氧化铝中的一种。

8.权利要求1的方法，其中在生长所述半导体结构之后，在所述晶种层中的平均位错密度大于所述半导体结构中的平均位错密度。

9.权利要求1的方法，其中晶种层被分成由除去晶种层或未形成晶种层的区域分隔开的分离的部分。

10.权利要求1的方法，其中所述晶种层具有50到300的厚度。

11.权利要求1的方法，其中所述主体是第一主体，该方法进一步包括：

将所述半导体结构连接到第二主体；和

除去所述第一主体。

12.权利要求11的方法，其中除去所述第一主体包括以下之一：蚀刻布置在所述晶种层和所述第一主体之间的粘结层和研磨所述第一主体。

13.权利要求11的方法，进一步包括除去所述晶种层。

14.权利要求1的方法，其中所述发光层是III-氮化物层。

15.权利要求1的方法，其中与所述晶种层组成相同的松驰的自由静置层具有与至少部分所述半导体结构不同的晶格常数。

16.权利要求1的方法，其中所述主体的热膨胀系数是所述半导体结构中一层的热膨胀系数的至少90％。

17.一种方法，包括：

提供衬底，包括：

主体；和

粘结到该主体的晶种层；和

在所述晶种层上生长半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层和直接在该晶种层上生长的成核层；

其中所述晶种层的晶格常数和所述成核层的晶格常数之间的差异是1％或更小。

18.权利要求17的方法，其中所述晶种层是SiC，且所述成核层是AlN。

19.权利要求17的方法，其中所述晶种层是ZnO，且所述成核层是InGaN。

20.权利要求17的方法，其中所述衬底进一步包括布置在所述主体和所述晶种层之间的粘结层。

21.权利要求20的方法，其中所述粘结层包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一种。

22.权利要求17的方法，其中所述主体的热膨胀系数是所述半导体结构中一层的热膨胀系数的至少90％。

23.权利要求17的方法，进一步包括在所述晶种层中形成的大量的沟槽。

24.一种方法，包括：

提供衬底，包括：

主体；和

粘结到该主体的晶种层；和

在所述晶种层上生长半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层和直接在该晶种层上生长的成核层；

其中所述主体的热膨胀系数是所述半导体结构的至少一层的热膨胀系数的至少90％。

25.权利要求24的方法，其中所述衬底进一步包括布置在所述主体和所述晶种层之间的粘结层。

26.权利要求24的方法，其中所述晶种层是SiC、GaN、InGaN、AlGaN和AlN中的一种。