[发明专利]用于形成包含导电封盖层的铜基金属化层的技术

权利要求书

1、一种方法，包括：

在金属区上方形成的介电层(108)中形成第一开口(110)，该金属区包括含金属部分(105b)与导电封盖层(106)，该封盖层(106)覆盖该含金属部分(105b)以便形成与该介电层(108)的至少一个界面；

蚀刻贯穿该第一开口(110)进入该封盖层(016)，而保持该含金属部分(105b)为该导电封盖层(106)所覆盖；以及

至少用阻挡材料(114)与含金属材料填充该第一开口(110)。

2、如权利要求1所述的方法，其中，该金属包括铜。

3、如权利要求1所述的方法，还包括通过下列步骤形成该金属区：

在介电层(102)中形成第二开口；

在该第二开口的底部与侧壁形成导电阻挡层(104)；

用金属填充该第二开口以形成该含金属部分(105b)；以及

在该含金属部分(105b)上形成该封盖层(106)。

4、如权利要求3所述的方法，其中，填充该第二开口包括使该金属凹陷以形成该含金属部分(105b)。

5、如权利要求4所述的方法，其中，使该金属凹陷包括过量地沉积该金属以溢出该第二开口以及通过化学机械研磨与电化学移除工艺中的至少一种移除过量材料。

6、如权利要求1所述的方法，其中，形成该封盖层(106)包括通过电化学沉积工艺沉积该封盖层。

7、如权利要求6所述的方法，其中，形成该封盖层包括至少在该含金属部分(105b)上形成催化剂材料以用于起始该电化学沉积工艺。

8、如权利要求7所述的方法，还包括通过化学机械研磨与电化学移除工艺中的至少一种移除该封盖层(106)的过量材料。

9、一种半导体器件，包括：

形成于第一介电层(102)中的金属区；

形成于该第一介电层(102)与该金属区上方的介电层(108)；

形成于该金属区(105b)上的导电封盖层(106)，以及该导电封盖层(106)形成与该介电层(108)的界面；以及

形成于该介电层(108)中且用导电材料填充的通孔(110)，该通孔终止于该导电封盖层中。

10、如权利要求9所述的半导体器件，其中，该导电封盖层(106)包括下列化合物中的至少一种化合物：钴、钨与磷，CoWP；钴、钨与硼，CoWB；镍、钼与硼，NiMoB；以及镍、钼与磷，NiMoP。