[发明专利]具有双极晶体管的半导体器件和制造这种器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件(10)，其具有衬底(12)和包含双极晶体管的硅半导体主体(11)，该双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)包括硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区(1)分开，所述硅的中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)包括一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，该子区域位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧，其特征在于所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且发射极区(1)的掺杂原子是砷原子。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(10)，其特征在于所述发射极区(1)的锗含量在大约20到100原子％之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件(10)，其特征在于所述发射极区的锗含量大约为40原子％。

4.根据权利要求1、2或者3所述的半导体器件(10)，其特征在于通过离子注入将砷原子提供在发射极区(1)中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件(10)，其特征在于离子注入的能量被选择以使得注入的砷离子位于发射极区(1)中远离中间区(22)。

6.如前述任何一个权利要求所述的半导体器件(10)，其特征在于所述基极区(2)被掺有硼原子并且被提供有碳原子，所述碳原子的浓度至少与硼原子的浓度相当。

7.如前面任何一个权利要求所述的半导体器件，其特征在于发射极区(1)通过由发射极区(1)顶上的牺牲硅层(99)形成的金属硅化物来接触。

8.一种制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件(10)具有衬底(12)和包含双极晶体管的硅半导体主体(11)，所述双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)提供有硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区(1)分开，所述硅的中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)提供有一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，所述子区域位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧，该方法的特征在于所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且选择砷原子作为发射极区(1)的掺杂原子。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于发射极区(1)的锗含量被选择在大约20到100原子％之间。

10.根据权利要求8或者9所述的方法，其特征在于通过离子注入(I)将砷原子提供于所述发射极区(1)中。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于离子注入(I)的能量被选择以使得注入的砷原子位于发射极区(1)中远离中间区(22)。

12.根据权利要求8、9、10或者11所述的方法，其特征在于在发射极区(1)的上面生长薄牺牲硅区域(99)，利用金属把所述硅区域(99)转换成金属硅化物接触区(100)。