[发明专利]微电子组件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成微电子组件的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一沟槽和第二沟槽；

用蚀刻停止材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；

在所述半导体衬底上面形成具有围绕电感器中心点缠绕的线圈的 电感器，其中所述第一沟槽位于所述电感器中心点与所述第二沟槽之 间；

在所述蚀刻停止材料和所述半导体衬底的至少一个中形成蚀刻 孔，以暴露出在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的衬底；

通过所述蚀刻孔，各向同性地蚀刻在所述第一沟槽与所述第二沟 槽之间的所述衬底，以在所述衬底中形成穴；以及

在所述蚀刻孔上面形成密封层以将所述穴密封。

2.如权利要求1所述的方法，还包括将所述电感器的至少一部分 布置在所述穴上面。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽 围绕所述电感器中心点形成。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽 都以所述电感器中心点为中心。

5.如权利要求4所述的方法，还包括形成将所述第一沟槽与所述 第二沟槽相互连接的至少一个支撑沟槽，所述蚀刻停止材料的形成填 充所述至少一个支撑沟槽。

6.如权利要求4所述的方法，还包括：

在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间形成多个支撑结构形成沟 槽，所述支撑结构形成沟槽具有小于所述第一沟槽和所述第二沟槽的 深度的深度，并且具有小于所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度的宽 度；以及

用所述蚀刻停止材料填充所述多个支撑结构形成沟槽，以在所述 第一沟槽与所述第二沟槽之间形成环形支撑结构。

7.一种用于形成微电子组件的方法，包括：

在具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面并且包括半导 体材料的半导体衬底的第一表面上形成围绕沟槽中心点的第一沟槽和 第二沟槽，所述第一沟槽位于所述沟槽中心点与所述第二沟槽之间；

在所述半导体衬底的第一表面上面形成蚀刻停止层，所述蚀刻停 止层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；

在所述半导体衬底的所述第一表面上面形成电感器；

通过所述蚀刻停止层形成蚀刻孔，以暴露出在所述第一沟槽与所 述第二沟槽之间的所述半导体材料；

通过所述蚀刻孔，各向同性地蚀刻在所述第一沟槽与所述第二沟 槽之间的所述半导体材料，以在所述半导体衬底中形成穴；以及

在所述蚀刻停止层上面形成密封层将所述穴密封。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述电感器包括围绕所述沟槽 中心点缠绕的线圈，并且所述线圈的至少一部分位于所述穴上面。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一沟槽和所述第二沟 槽具有圆环形，并且所述穴具有环孔形。

10.如权利要求9所述的方法，还包括形成将所述第一沟槽与所 述第二沟槽相互连接的多个支撑沟槽，以及用蚀刻停止材料来填充所 述支撑沟槽。

11.如权利要求9所述的方法，还包括在所述第一沟槽与所述第二 沟槽之间形成多个支撑结构形成沟槽，所述支撑结构形成沟槽具有小 于所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度的深度，并且具有小于所述第 一沟槽和所述第二沟槽的宽度的宽度，所述蚀刻停止层的形成填充所 述多个支撑结构形成沟槽，并导致在所述第一沟槽与所述第二沟槽之 间形成包括蚀刻停止材料的环形支撑结构。