[发明专利]为改善有机电子器件加工和性能的中和阳极缓冲层

权利要求书

1.一种有机薄膜，包含

酸性ABL材料；和

挥发性碱，加至所述酸性ABL材料，以形成溶液，所述挥发性碱至少部分地中和所述酸性ABL材料中的酸性基团，所述溶液经沉积和干燥形成所述薄膜。

2.按照权利要求1的有机薄膜，其中所述挥发性碱包含下列物质至少之一：氨(NH₃)、单烷基胺类(NH₂R)，二烷基胺类(NHR₂)，诸如三甲胺、三乙胺之类的三烷基胺类(NR₃)，烷基芳基胺类，芳基胺类和芳族杂环化合物吡啶、吡咯、咪唑或三唑。

3.按照前述权利要求中任何一项的有机薄膜，其中所述酸性基团包含至少下列之一：聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)、聚丙烯酸、磺化全氟化树脂和所述多酸的盐。

4.按照前述权利要求中任何一项的有机薄膜，其中所述酸性ABL材料是PEDOT∶PSS。

5.按照前述权利要求中任何一项的有机薄膜，其中所述挥发性碱是氨。

6.按照前述权利要求中任何一项的有机薄膜，其中所述溶液是30％氢氧化铵溶液。

7.按照前述权利要求中任何一项的有机薄膜，其中所述酸性基团被所述挥发性碱完全中和。

8.按照前述权利要求中任何一项的有机薄膜，其中把所述薄膜作为阳极缓冲层加进有机发光二极管器件。

9.一种有机发光器件，包含

阳极；

沉积在所述阳极上的阳极缓冲层(ABL)，所述阳极缓冲层制造如下：沉积含有被溶剂化在挥发性碱内的酸性ABL材料的溶液，使酸性ABL材料中的酸性基团至少被部分中和；和

沉积在所述阳极缓冲层上的发光层，所述发光层能在电子空穴在其中复合时发光。

10.权利要求9的有机发光器件，还包含：

沉积在所述发光层上的阴极。

11.权利要求9和10中任何一项的有机发光器件，还包含：

基底，所述阳极沉积在所述基底上。

12.权利要求9～11中任何一项的有机发光器件，其中所述发光层是共轭聚合物。

13.权利要求9～12中任何一项的器件，其中所述挥发性碱包含下列物质至少之一：氨(NH₃)、单烷基胺类(NH₂R)，二烷基胺类(NHR₂)，诸如三甲胺、三乙胺之类的三烷基胺类(NR₃)，烷基芳基胺类，芳基胺类和芳族杂环化合物吡啶、吡咯、咪唑或三唑。

14.权利要求9～13中任何一项的有机发光器件，其中所述酸性基团包含至少下列之一：聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)、聚丙烯酸、磺化全氟化树脂和所述多酸的盐。

15.权利要求9～14中任何一项的有机发光器件，其中所述酸性ABL材料是PEDOT∶PSS。

16.权利要求9～15中任何一项的有机发光器件，其中所述挥发性碱是氨。

17.权利要求9～16中任何一项的有机发光器件，其中所述溶液是30％氢氧化铵溶液。

18.权利要求9～17中任何一项的有机发光器件，其中所述酸性基团已被所述挥发性碱完全中和。

19.权利要求9～18中任何一项的有机发光器件，其中所述阳极缓冲层是通过烘烤或干燥所述沉积溶液而制成的。

20.权利要求19的有机发光器件，其中烘烤温度高于50℃。

21.一种制造用于有机电子器件的阳极缓冲层的方法，所述方法包括：

形成酸性ABL材料被溶剂化在挥发性碱中的溶液，以使酸性ABL材料内的酸性基团至少部分地被中和；和

在所述有机电子器件的表面上沉积所述溶液。

22.按照权利要求21的方法，还包括：

烘烤所述已沉积上溶液的器件。

23.按照权利要求22的方法，其中烘烤温度高于50℃。

24.按照权利要求21～23中任何一项的方法，还包括：

干燥已沉积上溶液的所述器件并除去所述的挥发性碱。