[发明专利]多层膜反射镜及制法、光学系统、曝光装置及元件的制法有效
申请号: | 200680036526.9 | 申请日: | 2006-10-04 |
公开(公告)号: | CN101278376A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 白石雅之 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G02B5/08;G03F7/20;G21K1/06 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 反射 制法 光学系统 曝光 装置 元件 | ||
1.一种多层膜反射镜,其包括基板、及构造上是第1材料层及第2材料层交替成膜在上述基板表面上的多层膜,上述多层膜表面附近的上述第1材料层在面内具有厚度上的分布,其特征为,
此多层膜反射镜包括:中间层,其形成在上述多层膜表面上且为Si层或含有Si之层,上述中间层的表面所处的位置与上述多层膜的上述第2材料层的表面所处的位置大致相同;以及
覆盖层,其均匀地成膜在上述中间层的表面上。
2.如权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述多层膜可反射波长为11nm~14nm的光。
3.如权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述第1材料层是含有Mo之层,上述第2材料层是含有Si之层。
4.如权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述中间层包含下述材料,该材料选自由Si、SiO2、SiC或该等的组合所构成的群组。
5.如权利要求4所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述中间层是含有上述群组中的不同材料所形成的多层膜。
6.如权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述中间层的表面大致平坦。
7.如权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述覆盖层包含下述材料,该材料选自由Ru、Ru合金、Rh、Rh合金、Nb、Nb合金、Pt、Pt合金、Mo、Mo合金、TiO2、SiO2、ZrO2、MoSi2、SiC或该等的组合所构成的群组。
8.如权利要求7所述的多层膜反射镜,其特征在于,上述覆盖层是含有上述群组中的不同材料的多层膜。
9.如权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,去除表面附近的上述多层膜,藉此使得上述多层膜表面附近的上述第1材料层在面内具有厚度上的分布的情形时,上述中间层的膜厚与上述多层膜的去除厚度大致相同。
10.如权利要求9所述的多层膜反射镜,其特征在于,当上述中间层的膜厚为d1(nm)、上述多层膜的去除厚度为d2(nm)时,满足
d2-0.4 d1 d2-1.2的条件。
11.一种多层膜反射镜的制造方法,其特征在于包括:
多层膜形成过程,其形成具有下述结构的多层膜,即,第1材料层与第2材料层周期性地交替形成在基板表面上;
多层膜去除过程,在藉由上述多层膜形成过程所形成的上述多层膜之面内,根据去除量进行分布,去除上述多层膜的表面;
中间层成膜过程,在藉由上述多层膜去除过程所去除的上述多层膜的去除区域表面上形成中间层,该中间层具有与上述多层膜的去除厚度大致相同的厚度、表面得到平坦化、且是Si层或含有Si之层;及
覆盖层成膜过程,在藉由上述中间层成膜过程所形成的上述中间层表面上均匀地形成覆盖层。
12.如权利要求11所述的多层膜反射镜的制造方法,其特征在于,上述中间层成膜过程包括下述过程:
在藉由上述多层膜去除过程所去除的上述多层膜的表面上,形成具有规定厚度的Si层或含有Si的中间层;以及
使上述中间层的表面平坦化,使得上述中间层表面位在与上述第2材料层的表面所处的位置大致相同的位置。
13.如权利要求11或12所述的多层膜反射镜的制造方法,其特征在于,当藉由上述中间层成膜过程所形成的上述中间层的膜厚为d1(nm)、上述多层膜的去除厚度为d2(nm)时,满足
d2-0.4≤d1≤d2-1.2的条件。
14.一种光学系统,其至少有一部分具备权利要求1至10中任一项所述的多层膜反射镜。
15.一种曝光装置,其中光学系统的至少一部分具备权利要求1至10中任一项所述的多层膜反射镜。
16.一种曝光装置,其中光学系统的至少一部分具备藉由权利要求11至13中任一项所述的多层膜反射镜的制造方法所制造的多层膜反射镜。
17.一种微型元件的制造方法,其特征在于包括:
曝光过程,其使用权利要求15或16所述的曝光装置,使图案影像曝光转印至物体上;以及
显影过程,其使藉由上述曝光过程所曝光转印的上述物体上的图案显影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造