[发明专利]气体阻挡膜、气体阻挡层压品以及膜或层压品的制造方法有效
申请号: | 200680036571.4 | 申请日: | 2006-08-30 |
公开(公告)号: | CN101278007A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 袴田智宣;野本晃;中村修;井上佳尚;鹤来交;田边信央;山本喜博 | 申请(专利权)人: | 东赛璐株式会社 |
主分类号: | C08L33/02 | 分类号: | C08L33/02;C08L29/04;B32B27/30 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 阻挡 层压 以及 制造 方法 | ||
1.一种气体阻挡膜,其包括不饱和羧酸化合物多价金属盐(a)的聚合物(A),所述聚合物含有改性乙烯醇聚合物(B)。
2.根据权利要求1所述的气体阻挡膜,其中所述改性乙烯醇聚合物(B)的含量为50wt%或更少。
3.根据权利要求1或2所述的气体阻挡膜,其中在红外吸收光谱中归属于羧酸基团的vC=O的1700cm-1附近的吸光度A0与归属于羧酸根离子的vC=O的1520cm-1附近的吸光度A的比例(A0/A)小于0.25。
4.根据权利要求1或2所述的气体阻挡膜,其中所述改性乙烯醇聚合物(B)是选自(甲基)丙烯酸酯基团改性的乙烯醇聚合物(B1)、硫醇基改性的乙烯醇聚合物(B2)、甲硅烷基改性的乙烯醇聚合物(B3)和乙酰乙酰基改性的乙烯醇聚合物(B4)中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的气体阻挡膜,其中所述不饱和羧酸化合物多价金属盐(a)是从聚合程度小于20的不饱和羧酸化合物得到的多价金属盐。
6.一种气体阻挡层压品,其通过在基质层(C)的至少一侧上形成根据权利要求1所述的气体阻挡膜而获得。
7.根据权利要求6所述的气体阻挡层压品,其中所述基质层(C)是其上形成有无机化合物沉积层(D)的基质层。
8.一种气体阻挡膜或气体阻挡层压品的制造方法,其通过用聚合程度小于20的不饱和羧酸化合物的多价金属盐的溶液对基质或基质层(C)的至少一个表面进行涂层,所述溶液含有改性乙烯醇聚合物(B),然后形成不饱和羧酸化合物多价盐(a)的聚合物(A),所述聚合物含有改性乙烯醇聚合物(B)。
9.一种气体阻挡膜或气体阻挡层压品的制造方法,其通过用含有改性乙烯醇聚合物(B)、聚合程度小于20的不饱和羧酸化合物和多价金属化合物的溶液对基质或基质层(C)的至少一个表面进行涂层,然后形成不饱和羧酸化合物多价金属盐(a)的聚合物(A),所述聚合物含有改性乙烯醇聚合物(B)。
10.根据权利要求8或9所述的气体阻挡层压品的制造方法,其中所述改性乙烯醇聚合物(B)是选自(甲基)丙烯酸酯基团改性的乙烯醇聚合物(B1)、硫醇基改性的乙烯醇聚合物(B2)、甲硅烷基改性的乙烯醇聚合物(B3)和乙酰乙酰基改性的乙烯醇聚合物(B4)中的至少一种。
11.根据权利要求8或9所述的气体阻挡膜或气体阻挡层压品的制造方法,其中所述基质层(C)是其上形成有无机化合物沉积层(D)的基质层。
12.一种气体阻挡层压品,其通过根据权利要求8或9所述的制造方法获得。
13.根据权利要求1所述的气体阻挡膜,其为热处理过的。
14.一种气体阻挡膜的制造方法,其通过将首先用聚合程度小于20的不饱和羧酸化合物的多价金属盐的溶液对基质层进行涂层,然后使所述不饱和羧酸化合物多价金属盐聚合而获得的膜进一步进行热处理。
15.一种气体阻挡膜的制造方法,其通过将用含有聚合程度小于20的不饱和羧酸化合物和多价金属化合物的溶液对基质层进行涂层,并通过形成不饱和羧酸化合物多价金属盐,然后使所述不饱和羧酸化合物多价金属盐聚合而获得的膜进一步进行热处理。
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