[发明专利]使用溶剂可溶性材料形成的电致磷光性有机发光二极管

说明书

发明背景

1.发明领域

本发明总体上涉及有机发光二极管，更具体地说，涉及电致磷光性有机发光二极管。

2.相关技术描述

有机发光二极管(OLED)是使用有机化合物作为发光层的薄膜发光二极管。图1概念性示出了常规的OLED 100，它包括夹在阳极110和阴极115之间的发光层105。该阳极110通常由氧化铟锡(ITO)形成并将空穴125提供至空穴注入层130，其然后可以将注入的空穴125提供至空穴传输层135然后至发光层105。该阴极115用来将电子140提供至电子传输层145然后至发光层105。发光层105中的空穴125和电子140可以结合形成激子150。该激子150可以以单线态(自旋0)或三线态(自旋1)形成。三线态比单线态更常用，因为激子150的大约75％以三线态形成，而激子115的仅大约25％以单线态形成。

当空穴125和电子140结合并作为热和/或光155释放储存在激子150中的能量时，该激子150衰变。在荧光性OLED 100中，发光层105由使得由单线态激子150释放的能量主要作为光释放并且由三线态激子150释放的能量主要作为热释放的材料形成。相反，磷光性OLED 100中的发光层由使得由三线态激子150释放的能量主要作为光释放的材料形成。大多数OLED是荧光性OLED，至少部分地是因为荧光通常是比磷光更快且更有效的过程。然而，磷光性OLED可能在更高的总效率下操作，至少部分地是因为三线态至单线态激子150的较大比例。

常规的磷光性OLED具有许多限制了它们的潜在有用性的缺陷。用来形成常规磷光性OLED的空穴注入层130的有机材料通常是不可溶的所以必须蒸发到阳极110的表面上。例如，常规磷光性OLED的空穴注入层130可以由不溶性小分子形成。通过蒸发沉积材料在下层表面上形成大致恒定厚度的层。因此，阳极110的表面中的任何缺陷，如凸起和/或凹坑，也将出现在沉积在阳极110上面的其它层如空穴注入层130的表面上。另外，用来形成常规磷光性OLED的空穴传输层135的有机材料通常是疏水性的小分子所以这些层和亲水性层(如阳极110的表面)之间的粘结可能较弱并当加热时对分离敏感。

发明概述

本发明涉及解决上面给出的一个或多个问题的影响。下面提供了发明的简要概述，以提供对发明一些方面的基本了解。这一概述不是本发明的详尽的综述。不旨在指出本发明的关键或决定性元素或描绘本发明的范围。其唯一目的是提供简化形式的一些构思作为稍后论述的更详细描述的前序。

在本发明的一个实施方案中，提供了电致磷光性有机发光二极管(PhOLED)。该电致磷光性OLED包括具有第一相对表面和第二相对表面的基材、覆盖该第一相对表面的第一电极层和覆盖该第一电极层的发光元件。该发光元件包括空穴注入层和磷光发射层。该空穴注入层由包括至少一个硅氧烷单元R-Y-SiO_3/2的交联的聚硅氧烷形成，该硅氧烷单元具有至少一个芳族胺基团(R)和至少一个二价有机基团(Y)。该芳族胺基团包括咔唑基、取代的咔唑基、三芳基胺基和取代的三芳基胺基中的至少一个。

附图简述

本发明可以结合附图参考下面说明来进行理解，其中类似的附图标记表示类似的元素，并且其中：

图1概念性示出了常规的电致磷光性有机发光二极管；

图2A、2B、2C、2D和2E概念性示出了根据本发明的使用溶剂可溶性材料形成电致磷光性有机发光二极管的方法的一个示例性实施方案；

图3概念性示出了根据本发明的咔唑基；

图4A、4B、4C、4D和4E概念性示出了根据本发明的三芳基胺基；和

图5概念性示出了根据本发明的电致磷光性有机发光二极管的一个示例性实施方案。

虽然本发明对各种修改和替代形式敏感，但是其具体的实施方案已经在附图中通过举例进行了说明并且在此进行了详细描述。然而，应当理解，在此对具体实施方案的描述不希望将本发明限制到所公开的特定形式，相反地，希望涵盖落入由所附权利要求书限定的本发明精神和范围内的全部修改、等同物和替换物。

具体实施方案的详细描述