[发明专利]具有改进的抗静电性的抗静电聚合物膜无效
申请号: | 200680036613.4 | 申请日: | 2006-10-04 |
公开(公告)号: | CN101277996A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 徐光锡;金钟银 | 申请(专利权)人: | 徐光锡 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 抗静电 聚合物 | ||
1、一种具有体积电阻系数和表面电阻系数的抗静电聚合物膜,该抗静电聚合物膜包括:
具有单层或多层结构的抗静电基体聚合物膜,该基体聚合物膜含有抗静电剂,因此具有抗静电性;和
在所述基体聚合物膜表面使用导电聚合物作为活性组分而形成的抗静电层,
所述抗静电聚合物膜具有优异的抗静电性,包括表面电阻系数能够在103-109Ω/平方范围内调整,衰减时间低于3秒,摩擦电压低于50伏特,充电电压低于实际所施加的电压。
2、根据权利要求1所述的抗静电聚合物膜,其中,所述抗静电剂为选自表面活性剂、永久耗散型聚合物IDP、金属氧化物和炭黑中的至少一种。
3、根据权利要求1或2所述的抗静电聚合物膜,其中,在位于所述基体聚合物膜表面上的所述抗静电层的形成过程中合成的所述导电聚合物以与聚合物粘结剂的混合物的形式使用。
4、根据权利要求1-3中任意一项所述的抗静电聚合物膜,其中,所述导电聚合物选自包括聚噻吩、聚苯胺和聚吡咯在内的导电聚合物以及包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)在内的改性导电聚合物中。
5、根据权利要求1-4中任意一项所述的抗静电聚合物膜,其中,所述抗静电层是使用导电聚合物作为活性组分通过气相聚合法或直接聚合法形成的。
6、根据权利要求5所述的抗静电聚合物膜,其中,用于合成所述导电聚合物的单体选自包括噻吩、苯胺、吡咯和3,4-乙撑二氧噻吩在内的改性单体中。
7、根据权利要求1-6中任意一项所述抗静电聚合物膜,其中,所述基体聚合物由酯聚合物、苯乙烯聚合物、烯烃聚合物、碳酸酯聚合物、或含有这些聚合物中的至少一种的共聚物组成。
8、根据权利要求1-7中任意一项所述的抗静电聚合物膜,其中,所述基体聚合物膜具有由三层或更多层组成的层状结构,其中形成于所述层状结构的两个表面的层含有抗静电剂。
9、根据权利要求8所述的抗静电聚合物膜,其中,所述层状结构的两个表面的厚度为所述层状结构的总厚度的5-50%。
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