[发明专利]包括包含于其中的光伏有源半导体材料的光伏电池

权利要求书

1.一种光伏有源半导体材料，其是分子式(I)的、分子式(II)的或它们的组合物的材料：

(I)(Zn_1-xMg_xTe)_1-y(M_nTe_m)_y和

(II)(ZnTe)_1-y(Me_aM_b)_y，其中

M_nTe_m和Me_aM_b均为掺杂剂，其中M是选自硅、锗、锡、铅、锑和铋的至少一种元素，而Me是选自镁和锌的至少一种元素，且

x＝0至0.5

y＝0.0001至0.05

n＝1至2

m＝0.5至4

a＝1至5，以及

b＝1至3。

2.一种包括光伏有源半导体材料的光伏电池，其中所述光伏有源半导体材料是分子式(I)的、分子式(II)的或它们的组合物的材料：

(I)(Zn_1-xMg_xTe)_1-y(M_nTe_m)_y和

(II)(ZnTe)_1-y(Me_aM_b)_y，其中

M_nTe_m和Me_aM_b均为掺杂剂，其中M是选自硅、锗、锡、铅、锑和铋的至少一种元素，而Me是选自镁和锌的至少一种元素，且

x＝0至0.5

y＝0.0001至0.05

n＝1至2

m＝0.5至4

a＝1至5，以及

b＝1至3。

3.根据权利要求2的光伏电池，其中所述掺杂剂是选自Si₃Te₃、GeTe、SnTe、PbTe、Sb₂Te₃、Bi₂Te₃、Mg₂Si、Mg₂Ge、Mg₂Sn、Mg₂Pb、Mg₃Sb₂、Mg₃Bi₂、ZnSb、Zn₃Sb₂和Zn₄Sb₃的至少一种化合物。

4.根据权利要求2或3的光伏电池，其包括所述分子式(I)的、所述分子式(II)的或它们的组合物的材料的至少一个p导电吸收层。

5.根据权利要求2至4中任何一项的光伏电池，包括n导电透明层，所述n导电透明层包括选自氧化铟锡、掺杂氟的氧化锡、掺杂锑的氧化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂铟的氧化锌和掺杂铝的氧化锌的至少一种半导体材料。

6.根据权利要求2至5中任何一项的光伏电池，其包括所述分子式(I)的、所述分子式(II)的或它们的组合物的材料的至少一个p导电层、至少一个n导电层、以及基底，所述基底为涂敷有导电材料的玻璃板、柔性金属箔或柔性金属片。

7.一种用于制造根据权利要求1的光伏有源半导体材料或者根据权利要求2至6中任何一项的光伏电池的方法，其包括制造分子式Zn_1-xMg_xTe或ZnTe的半导体材料的层以及将掺杂剂M_aTe_m或Me_aM_b引入到所述层中。

8.根据权利要求7的方法，其中制造具有0.1至20μm的厚度的所述半导体材料的层。

9.根据权利要求7或8的方法，其中通过选自溅射、电化学沉积和无电沉积的至少一种沉积工艺来制造所述层。