[发明专利]存储器的字块写入方法

说明书

本发明涉及例如闪存(Flash-)或EEPROM-(电动可擦除和可编程只读类型存储器)的非易失性存储器的字块写入。

作为本发明更特别地涉及在无源类型的非接触式集成电路存储器中数据的写入，其通过天线信号产生的电压来供电。

非接触式无源集成电路总体上用于RFID(射频识别)的应用并且可以是感应耦合或“电耦合”类型。

第一种类型的无源集成电路包含天线线圈，由负载调制发送数据，并在总体上大约10MHz的磁场频率存在的情况下通过感应耦合供电。这类集成电路例如是由提供13.56MHz的工作频率的ISO/IEC 14443A/B和ISO/IEC 15693标准描述的。

第二种类型的无源集成电路由在几百MHz振动的超高频(UHF)电场供电，并且通过调制其天线电路的光谱反射率来发送数据(技术上称为“后向散射”)。这类集成电路标准化进程中的工业技术规范《EPCTM-GEN2》中描述的(″Radio-Frequency Identity Protocols Class-1 Generation-2-UHFRFID Protocol for Communications at 860MHz-960MHz″)。他们总体上用于所谓“远程”的应用，其中集成电路和通常称为阅读器的、发送电场的数据发送/接收站之间的距离可以达到数米。

由于这些集成电路都是无源的，即远程供电，他们的范围直接取决于其能耗。从另一方面说，其消耗的电量越少，则其范围越大。因此，有必要尽可能地减少其电流消耗。从这个角度看，集成电路的存储器是相当大的电量消耗项。

例如EEPROM类型的存储器中一个或一个以上的字可以同时或连续地字块写入。存储器的存储单元沿着字线和横截字线的位线分布。为了使多个字可以同时写入，每个字线都集合与形成与能被同时编程的字的最大数量相乘的字的位数相对应的存储器。在字线中的所有字形成页。存储单元使用连接到每个位线的编程锁存器来编程。因此，可以被同时编程的字的数量直接联结到编程锁存器的数量。

现在，存储单元的编程要求特别是在连接到要被编程的存储单元的位线上的编程锁存器中应用高电压。该高电压由使用集成电路接收的电量的高电压产生器产生。因而集成电路接收的电量必须产生能够提供给所有的编程锁存器的、足够高的电压。此外，编程锁存器包含高压晶体管，其有助于增加对能耗有直接影响的存储器的有源表面。当他们是非有源时，这些高压晶体管也具有相当大的泄漏率，其有助于增加存储器的能耗。因此，存储器中的编程锁存器的数量对存储器的能耗有直接影响。

结果是可由若干字的页编程的存储器并不适合非接触式无源集成电路，尤其当想增大其范围时。

此外，在仅字可编程的存储器中模拟页编程模式的可能性已有考虑。为达上述目的，要写入的字块的字可储存到缓存中，而后在存储器中连续写入。对于存储器中要在确定的时间内写入的多个字块的字，通常需要减少存储器写入周期的持续时间。现在，编程存储器单元需要将高电压施加到编程锁存器一特定时间，该特定时间仅能以降低编程的可靠性为代价来减少。此外，最好是逐渐施加该高电压，以便不破坏存储器单元的浮栅晶体管。

因此，本发明的一个目的是提供一种用于字块编程的非易失性存储器的方法，其中连续写入字块的字而不减少写入字的正常周期的持续时间。

该目的是通过提供一种用于字块写入电可编程非易失性存储器的方法达成，存储器中要写入的字块包含至少一个字，该方法包含连续写入存储器中要写入的字块中每一个字的步骤。

根据本发明，该方法包含的步骤是：

一用确定的字块写入时间除以要写入的字块的字的数量，以确定字写入时间，和

一控制存储器在写入时间内依次写入每个字到存储器中。

根据本发明的一个具体实施例，存储器中每个字的写入包含施加在存储器中写入字所需的高电压到存储器的步骤。

根据本发明的一个具体实施例，存储器中每个字的写入包含应用逐渐增加的写入电压直到其达到在存储器中写入字所需的高电压的步骤。

根据本发明的一个具体实施例，施加到存储器的写入电压逐渐增大直到达到高电压的持续时间与每个字的写入时间成比例。

根据本发明的一个具体实施例，用于写入存储器中的字的指令的执行时间少于用于写入字块的指令的执行时间。

根据本发明的一个具体实施例，存储器是非接触式无源集成电路的EEPROM存储器。