[发明专利]硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备

权利要求书

1.一种堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，包括的步骤是：

在基板(1)上形成透明导电膜(2)；并且

通过顺序地在所述透明导电膜(2)上形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)；

形成所述双pin结构堆叠体(30)的所述步骤在同一等离子体CVD膜沉积室(220)中进行，并且

所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)和所述第一n型半导体层(13)在使得所述等离子体CVD膜沉积室(220)中的膜沉积压力不低于200Pa并且不高于3000Pa并且单位电极面积的功率密度不低于0.01W/cm²并且不高于0.3W/cm²的条件下形成。

2.一种堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，包括的步骤是：

通过在同一等离子体CVD膜沉积室(220)中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)；

所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)和所述第一n型半导体层(13)在使得在所述等离子体CVD膜沉积室(220)中的膜沉积压力不低于200Pa并且不高于3000Pa并且单位电极面积的功率密度不低于0.01W/cm²并且不高于0.3W/cm²的条件下形成。

3.根据权利要求1或2的堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其中

所述第一p型半导体层(11)具有不小于2nm并且不大于50nm的厚度，所述i型非晶硅基光电转换层(12)具有不小于0.1μm并且不大于0.5μm的厚度，并且所述第一n型半导体层(13)具有不小于2nm并且不大于50nm的厚度。

4.根据权利要求1或2的堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其中

所述第二p型半导体层(21)具有不小于2nm并且不大于50nm的厚度，所述i型微晶硅基光电转换层(22)具有不小于0.5μm并且不大于20μm的厚度，并且所述第二n型半导体层(23)具有不小于2nm并且不大于50nm的厚度。

5.根据权利要求1或2的堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其中

所述第二p型半导体层(23)在使得所述基板(1)的下面的基底的温度不高于250℃，被引入至所述等离子体CVD膜沉积室(220)中的原材料气体包括硅烷基气体和包含氢气的稀释气体，并且所述稀释气体的流量是所述硅烷基气体的流量至少10倍大的条件下形成。

6.根据权利要求1或2的堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其中

确定所述第一p型半导体层(11)和所述第二p型半导体层(21)的导电类型的杂质原子是硼原子或铝原子。

7.根据权利要求1或2的堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其中

所述i型微晶硅基光电转换层(22)在使得所述基板(1)的下面的基底的温度不高于250℃，被引入至所述等离子体CVD膜沉积室(220)中的原材料气体包括硅烷基气体和稀释气体，并且所述稀释气体的流量是所述硅烷基气体的流量的至少30倍大并且最多100倍大，并且用Raman能谱法测量的520nm^-1峰对于480nm^-1峰的峰强度比I₅₂₀/I₄₈₀不小于5并且不大于10的条件下形成。

8.根据权利要求1或2的堆叠型硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其中

确定所述第一n型半导体层(13)和所述第二n型半导体层(23)的导电类型的杂质原子是磷原子。