[发明专利]催化剂处理方法、非电解镀敷方法和使用非电解镀敷方法的电路形成方法无效
申请号: | 200680037004.0 | 申请日: | 2006-10-02 |
公开(公告)号: | CN101283116A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 三森健一 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18;H05K3/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 催化剂 处理 方法 电解 使用 电路 形成 | ||
1、一种催化剂处理方法,其特征在于,具有:使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序;在所述锡处理工序后,使所述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序;在所述铜处理工序后,使所述基材与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序。
2、根据权利要求1所述的催化剂处理方法,其特征在于,所述铜化合物水溶液为硫酸酸性。
3、一种催化剂处理方法,其特征在于,具有:使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序;在所述锡处理工序后,使所述基材与含有硫酸酸性的铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序。
4、根据权利要求1~3中任一项所述的催化剂处理方法,其特征在于,按顺序多次反复进行所述锡处理工序和所述铜处理工序。
5、一种非电解镀敷方法,其特征在于,具有:使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序;在所述锡处理工序后,使所述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序;在所述铜处理工序后,使所述基材与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序;在所述稀硫酸处理工序后,使所述基材与镀敷液接触形成镀膜的镀敷处理工序。
6、根据权利要求5所述的非电解镀敷方法,其特征在于,所述铜化合物水溶液为硫酸酸性。
7、一种非电解镀敷方法,其特征在于,具有:使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序;在锡处理工序后,使所述基材与含有硫酸酸性的铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序;在所述铜处理工序后,使所述基材与镀敷液接触形成镀膜的镀敷处理工序。
8、根据权利要求5~7中任一项所述的非电解镀敷方法,其特征在于,在所述镀敷处理之后,具有将所述基材在实质上不含有氧和氢的气氛中进行加热的热处理工序。
9、一种使用非电解镀敷方法的电路形成方法,其特征在于,具有:使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序;在所述锡处理工序后,使所述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序;对在所述基材上析出而形成的金属铜的任意部分照射紫外线,使所述金属铜的曝光部分氧化的氧化处理工序;使所述基材与稀硫酸接触除去氧化铜,使所述金属铜形成为任意图形的稀硫酸处理工序;使所述基材与镀敷液接触,以所述金属铜为核,形成镀膜的镀敷处理工序。
10、根据权利要求9所述的使用非电解镀敷方法的电路形成方法,其特征在于,所述氧化处理工序中的紫外线的波长为254nm以下。
11、根据权利要求9或10所述的使用非电解镀敷方法的电路形成方法,其特征在于,在所述希硫酸处理工序之后,在所述镀敷处理工序之前,具有使所述基材与含有钯的钯溶液接触的钯处理工序。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理